【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、电容是目前集成电路领域必不可少的器件之一，芯片内集成电容需要额外的设计。三维封装中经常通过混合键合的方法集成电容，也即键合金属同时用作电容极板。但电容极板不能完全相互平行，电容值很小，且电极板之间间距不能太小，金属扩散容易产生可靠性问题，导致电容失效。混合键合对于键合金属层的图形均匀性非常敏感，电容极板的形状会影响键合界面金属图形的均匀性变差，有可能导致键合失效以及混合键合工艺与电容极板制作工艺兼容性差的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种能够提高键合结构和电容的兼容性以及混合键合的良率的半导体器件及其制备方法。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提供一种半导体器件，包括第一半导体结构及第二半导体结构，第一半导体结构包括第一电容极板、第一电容介质层及第一键合结构，第二半导体结构包括第二电容极板、第二电容介质层及第二键合结构，第一键合结构位于第...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括第一半导体结构及第二半导体结构，其特征在于，所述第一半导体结构包括第一电容极板、第一电容介质层及第一键合结构，所述第二半导体结构包括第二电容极板、第二电容介质层及第二键合结构，第一键合结构位于所述第一电容介质层内，第二键合结构位于所述第二电容介质层内，所述第一半导体结构及所述第二半导体结构通过所述第一键合结构和所述第二键合结构键合；
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构在所述第一半导体结构上的正投影与所述第一电容极板相邻设置，所述第二键合结构在所述第二半导体结构上的正投影与所述第二电容极板相邻设置。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括第一半导体结构及第二半导体结构，其特征在于，所述第一半导体结构包括第一电容极板、第一电容介质层及第一键合结构，所述第二半导体结构包括第二电容极板、第二电容介质层及第二键合结构，第一键合结构位于所述第一电容介质层内，第二键合结构位于所述第二电容介质层内，所述第一半导体结构及所述第二半导体结构通过所述第一键合结构和所述第二键合结构键合；
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构在所述第一半导体结构上的正投影与所述第一电容极板相邻设置，所述第二键合结构在所述第二半导体结构上的正投影与所述第二电容极板相邻设置。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构还包括第一互连结构，所述第二半导体结构还包括第二互连结构；所述第一互连结构包括连接的第一互连导电层和第三互连导电层，所述第二互连结构包括连接的第二互连导电层及第四互连导电层；
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连结构还包括第一互连导电线路，所述第一互连导电线路与所述第一互连导电层连接；及/或
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构在所述第一互连结构上的正投影落在所述第一互连导电线路外；所述第二键合结构在所述第一互连结构上的正投影落在所述第一互连导电线路外。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构位于所述第一互连导电线路上且与所述第一互连导电线路连接；及
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构位于所述第一互连导电线路上且与所述第一互连导电线路连接；及
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构和所述第二键合结构中的至少一个的截面呈i字型或t字型。
9.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容极板为所述第一互连结构的顶层金属的至少一部分；及/或
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连导电线路与所述第一电容极板同层设置且材料相同；及/或
11.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连导电线路与所述第一电容极板不同层；及/或
12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构还包括第一介质层，所述第二半导体结构还包括第二介质层，所述第一互连导电线路位于所述第一介质层内，所述第二互连导电线路位于所述第二介质层内；
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容极板或所述第二电容极板的形状为实心片状或具有镂空的片状。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容极板或所述第二电容极板包括至少一镂空部，部分所述第一介质层或所述第二介质层位于所述镂空部内。
15.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容极板和所述第二电容极板中的至少一个为键合结构阵列，所述键合结构阵列贯穿所述第一电容介质层或所述第二电容介质层并与所述第一互连结构或所述第二互连结构连接；
16.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一键合结构和所述第二键合结构之间通过金属键键合，所述第一电容介质层与所述第二电容介质层之间通过共价键键合。
17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容介质层与所述第二电容介质层之间具有二氧化硅层，且所述二...
【专利技术属性】
技术研发人员：张春雨，朱淑娟，渠汇，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。