半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构，所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层；在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层，所述层间介质层内具有栅极开口，所述栅极开口横跨所述初始沟道结构，且所述栅极开口暴露出牺牲层表面；通过若干次去除改性工艺去除所述栅极开口暴露出的牺牲层，在相邻沟道层之间形成栅极槽，每次所述去除改性工艺包括：刻蚀所述牺牲层，以暴露出至少部分沟道层表面；对暴露出的沟道层表面进行表面疏水改性处理。所述半导体结构的形成方法减少了晶体管的沟道层之间的黏连缺陷，提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着集成电路的集成化程度越来越高，集成电路器件尺寸越来越小。近年来，以全环绕栅(gate-all-around,gaa)场效应晶体管为代表的晶体管结构已被应用在各种半导体器件中。

2、全环绕栅场效应晶体管包括多个相互分离且相互堆叠的沟道层，金属栅极可以完全环绕沟道层，从而更好的减少漏电，控制电流，以提供性能更优、功耗更低的器件。

3、然而，现有技术中，全环绕栅场效应晶体管的沟道层容易发生黏连，导致晶体管缺陷较多，从而影响器件性能。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构的形成方法，减少了晶体管的沟道层之间的黏连缺陷，改善了沟道层的形貌，提升了器件性能。

2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括:提供衬底；在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构，所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层；在所述衬底以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面疏水改性处理的方法包括：湿法刻蚀处理或干法刻蚀处理。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀处理包括Certas处理或SiCoNi处理。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层的工艺包括：湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺中的一者或多者的组合。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括Certas选择性等离子体刻蚀工艺或Certas表面自由...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面疏水改性处理的方法包括：湿法刻蚀处理或干法刻蚀处理。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀处理包括certas处理或siconi处理。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层的工艺包括：湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺中的一者或多者的组合。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括certas选择性等离子体刻蚀工艺或certas表面自由基刻蚀工艺中的一者或多者的组合。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除改性工艺的次数为1次。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除改性工艺的次数大于或等于2次。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成栅极开口之前，还包括：在所述衬底表面形成横跨所述初始沟道结构的伪栅以及位于伪栅两侧的源漏区。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层、栅极开口以及源漏区的形成方法包括：在所述衬底表面形成横跨所述初始沟道结构的伪栅；在所述伪栅两侧形成源漏区，所述源漏区位于初始沟道结构侧壁上；形成包围所述源漏区、伪栅以及初始沟道结构的层间介质层；去除所述伪栅，在所述层间介质层内形成栅极开口。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成源漏区之前，还包括：在所述牺牲层侧壁形成内部间隔层；所述内部间隔层位于源漏区与牺牲层之间。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：范义秋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：