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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构,所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层;在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层,所述层间介质层内具有栅极开口...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成若干分立的初始沟道结构,所述初始沟道结构包括若干沿垂直于衬底表面方向重叠的沟道层以及相邻沟道层之间的牺牲层;在所述衬底以及初始沟道结构表面形成层间介质层,所述层间介质层内具有栅极开口...