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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括第一及第二半导体结构，第一半导体结构包括第一电容极板、第一电容介质层及第一键合结构，第二半导体结构包括第二电容极板、第二电容介质层及第二键合结构，第一键合结构位于第一电容介质层内，第二键合...
该专利属于兆易创新科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过兆易创新科技集团股份有限公司授权不得商用。

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