一种带状线结构的20G频段3dB耦合器制造技术

技术编号:43086690 阅读:26 留言:0更新日期:2024-10-26 09:35
本技术涉及耦合器领域,尤指一种带状线结构的20G频段3dB耦合器,包括PCB板体,其中PCB板体由上至下依次为第一金属接地层、介质层、第二金属接地层,所述介质层内还设置位于同一平面的带状线结构,其中带状线结构包括两条第一导体、两条第二导体;两条第一导体平行设置,且两条第二导体的两端分别与两个第一导体垂直连接,且两条第二导体相互平行设置;其中一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接,另外一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接。相较于传统的微带线设计,这种模块性设计为与输出端口相连的射频器件提供了更大的灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及耦合器领域,尤指一种带状线结构的20g频段3db耦合器。


技术介绍

1、目前,耦合器的实现方式分为微带线耦合器。其中,微带线耦合器易于与其他的微带线系统结合,减小系统体积,是发射机系统中的首选。但是,微带线由于其传播方式为准tem模。因此,方向性和插损都不能达到要求。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本技术提供一种带状线结构的20g频段3db耦合器,该带状线结构的耦合器设计具有更高的模块性。相较于传统的微带线设计,这种模块性设计为与输出端口相连的射频器件提供了更大的灵活性。这意味着可以通过直接物理连接或通过耦合馈电进行物理分离的方式进行连接。

2、为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种带状线结构的20g频段3db耦合器,包括pcb板体,其中pcb板体由上至下依次为第一金属接地层、介质层、第二金属接地层,所述介质层内还设置位于同一平面的带状线结构,其中带状线结构包括两条第一导体、两条第二导体;两条第一导体平行设置,且两条第二导体的两端分别与两个第一导体垂直连接,且两条第二导体相互平本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带状线结构的20G频段3dB耦合器,其特征在于:包括PCB板体,其中PCB板体由上至下依次为第一金属接地层、介质层、第二金属接地层,所述介质层内还设置位于同一平面的带状线结构,其中带状线结构包括两条第一导体、两条第二导体;两条第一导体平行设置,且两条第二导体的两端分别与两个第一导体垂直连接,且两条第二导体相互平行设置;其中一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接,另外一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接。

2.根据权利要求1所述的一种带状线结构的20G频段3dB耦合器,其特征在于:第一金属接地层以及第二金属接地层的铜...

【技术特征摘要】

1.一种带状线结构的20g频段3db耦合器,其特征在于:包括pcb板体,其中pcb板体由上至下依次为第一金属接地层、介质层、第二金属接地层,所述介质层内还设置位于同一平面的带状线结构,其中带状线结构包括两条第一导体、两条第二导体;两条第一导体平行设置,且两条第二导体的两端分别与两个第一导体垂直连接,且两条第二导体相互平行设置;其中一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接,另外一条第一导体的两端穿过介质层与第一金属接地层/第二金属接地层连接。

2.根据权利要求1所述的一种带状线结构的20g频段3db耦合器,其特征在于:第一金属接地层以及第二金属接地层的铜厚为0.035mm;带状线结构的铜厚为0.017mm;介质层的填充厚度为0.4mm。

3.根据权利要求1所述的一种带状线结构的20g频段3db耦合器,其特征在于:所述第一导体包括依次连接的第一节导体、第二节导体、第一节导体,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:周飞龙姚建企
申请(专利权)人:深圳市光导科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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