存储器及其操作方法、存储器系统技术方案

本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统；存储器包括：存储单元阵列以及与存储单元阵列耦接的外围电路；其中，存储单元阵列包括多个存储面；每个存储面包括多个存储页；外围电路被配置为：在采用异步多面独立读取方式执行读取操作的过程中，对第一存储页进行读取，并在完成对第一存储页的读取操作后，将地址信息更新为第一存储页的下一存储页的地址信息；第一存储页为当前选中的存储面中首个待读取的存储页；以及根据更新后的地址信息，对当前选中的存储面执行顺序缓存读取。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统。

技术介绍

1、存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，nand(not-and，与非型)型存储器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。

2、然而，随着人们对存储器要求的不断提高，存储器及其系统在执行读写操作时还存在诸多问题。

技术实现思路

1、基于此，一方面，本公开实施例提出了一种存储器，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，所述存储单元阵列包括多个存储面；每个所述存储面包括多个存储页；所述外围电路被配置为：

2、在采用异步多面独立(ampi，async multi-plane independent)读取方式执行读取操作的过程中，对第一存储页进行读取，并在完成对所述第一存储页的读取操作后，将地址信息更新为所述第一存储页的下一存储页的地址信息；所述第一存储页为当前选中的存储面中首个待读取的存储页本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，所述存储单元阵列包括多个存储面；每个所述存储面包括多个存储页；所述外围电路被配置为：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述外围电路还配置为：在执行所述读取操作之前，接收到第一指令；响应于所述第一指令，采用所述异步多面独立读取的操作方式对当前选中的多个所述存储面进行读取操作；

3.根据权利要求2所述的存储器，其中，所述外围电路还配置为：在接收到所述第一指令后且在接收到所述第二指令之前以及接收到所述第二指令后且在接收到所述第三指令之前，接收到第四指令，所述第四指令中包含所述当前选中的存...

【技术特征摘要】

1.一种存储器，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，所述存储单元阵列包括多个存储面；每个所述存储面包括多个存储页；所述外围电路被配置为：

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述外围电路还配置为：在执行所述读取操作之前，接收到第一指令；响应于所述第一指令，采用所述异步多面独立读取的操作方式对当前选中的多个所述存储面进行读取操作；

3.根据权利要求2所述的存储器，其中，所述外围电路还配置为：在接收到所述第一指令后且在接收到所述第二指令之前以及接收到所述第二指令后且在接收到所述第三指令之前，接收到第四指令，所述第四指令中包含所述当前选中的存储面的地址信息；以及

4.根据权利要求3所述的存储器，其中，所述外围电路还包括：第一寄存器；

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述外围电路还包括：多个第二寄存器；

6.根据权利要求5所述的存储器，其中，所述外围电路还配置为：在确定当前选中的存储面之后，接收到所述第三指令，响应于所述第三指令，触发第一信号，所述第一信号指示将所述当前选中的存储面对应的所述第二寄存器中的地址信息更新为所述第一存储页的下一存储页地址信息。

7.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一寄存器包括多个有效数据位；

8.根据权利要求2所述的存储器，其中，所述外围电路还包括：第三寄存器；

9.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器包括nand型存储器。

10.一种存储器系统，包括：

11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，所述存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇飞，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：