电泳型显示装置的阵列基板、其制造方法，以及对其中的线进行修补的方法制造方法及图纸

公开了一种电泳型显示装置的阵列基板，包括：基板上的多条栅线；该多条栅线上的栅绝缘层；该栅绝缘层上的多条数据线，该多条数据线与该多条栅线交叉，从而限定多个像素区；对应于每个像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、以及源极和漏极；该多条数据线上的第一钝化层；该第一钝化层上的第二钝化层，其中该第二钝化层包括数据线上方的第一孔和／或栅线上方的第二孔，该第二孔和栅线之间至少具有栅绝缘层；以及该第二钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极相连，其中该像素电极的一部分覆盖了第一孔，而该像素电极的另一部分覆盖了第二孔。还公开了该电泳型显示装置的阵列基板的制造方法，以及对其中的线进行修补的方法。

【技术实现步骤摘要】
,以及对其中的线进行修补的方法
本专利技术涉及一种电泳型显示装置的阵列基板及其制造方法，以及对其中的线进行修补的方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。 本专利技术的一个优点在于提供了一种电泳型显示装置的阵列基板及其制造方法，以及对其中的线进行修补的方法，其能够提高对断路的栅线或数据线进行修补的可靠性。 本专利技术的其它特征和优点将在接下来的说明中阐述，并且在一定程度上通过说明书而变得显而易见，或者可以通过实践本专利技术而得知。通过书面说明及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现以及获得本专利技术的这些以及其他优点。 为了实现这些和其他优点以及根据本专利技术的目的，如这里所体现的以及宽泛的描述，电泳型显示装置的阵列基板包括基板上的多条栅线；该多条栅线上的栅绝缘层；该栅绝缘层上的多条数据线，该多条数据线与该多条栅线交叉以限定多个像素区；对应于每个像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、以及源极和漏极；该多条数据线上的第一钝化层；该第一钝化层上的第二钝化层，其中该第二钝化层包括在每个像素区一侧的数据线上方的第一孔，以及在每个像素区另一侧的栅线上方的第二孔，该第二孔和栅线之间至少具有栅绝缘层；以及该第二钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极相连，其中该像素电极的一部分覆盖第一孔，而该像素电极的另一部分覆盖第二孔。 此外，该阵列基板可进一步包括由无机绝缘材料构成且在像素电极和第二钝化层之间的第三钝化层。 此外，栅绝缘层和第一钝化层每层可由无机绝缘材料构成，而第二钝化层可由有机绝缘材料构成。 此外，第二钝化层的厚度可为约2微米至约4微米。 又一方面，电泳型显示装置的阵列基板包括基板上的多条栅线；该多条栅线上的栅绝缘层；该栅绝缘层上的多条数据线，该多条数据线与该多条栅线交叉以限定多个像素区；对应于每个像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、以及源极和漏极；该多条数据线上的第一钝化层；该第一钝化层上的第二钝化层，其中该第二钝化层包括每个像素区一侧的数据线上方的第一孔或每个像素区另一侧的栅线上方的第二孔，在第二孔与栅线之间至少具有栅绝缘层；以及该第二钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极相连，其中该像素电极覆盖第一孔或第二孔。 此外，该阵列基板可进一步包括由无机绝缘材料构成且在像素电极和第二钝化层之间的第三钝化层。 此外，栅绝缘层和第一钝化层每层可由无机绝缘材料构成，而第二钝化层可由有机绝缘材料构成。 此外，第二钝化层的厚度可为约2微米至约4微米。 另一方面，电泳型显示装置的阵列基板的制造方法包括在基板上形成多条栅线；在该多条栅线上形成栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成多条数据线，并使该多条数据线与该多条栅线交叉以限定多个像素区；形成对应于每个像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、以及源极和漏极；在该多条数据线上形成第一钝化层；在该第一钝化层上形成第二钝化层，其中该第二钝化层包括每个像素区一侧的数据线上方的第一孔，或每7个像素区另一侧的栅线上方的第二孔，该第二孔与栅线之间至少具有栅绝缘层；以及在该第二钝化层上形成像素电极，该像素电极与漏极相连，其中该像素电极的一部分覆盖第一孔或第二孔。 此外，形成第二钝化层可包括在第一钝化层上形成有机绝缘层；使用半色调或衍射掩模进行曝光，并对该有机绝缘层进行显影以形成第一和第二部分以及漏极接触孔，其中该第一部分比第二部分薄并且对应于第一孔或第二孔，而漏极接触孔暴露出漏极上方的一部分第一钝化层；通过第一干蚀刻去除第一钝化层的被暴露部分，以暴露出漏极；以及通过第二干蚀刻去除该第一部分以形成第一孔或第二孔，并且通过该第二干蚀刻部分去除第二部分，从而形成第二钝化层。 此外，栅绝缘层和第一钝化层每层可由无机绝缘材料构成。 此外，第二钝化层的厚度可为约2微米至约4微米。 此外，该方法可进一步包括形成第三钝化层，该第三钝化层由无机绝缘材料构成并位于像素电极与第二钝化层之间。 另一方面，一种对电泳型显示装置的阵列基板的断路栅线或数据线进行修补的方法，其中该阵列基板包括基板上的多条栅线；该多条栅线上的栅绝缘层；该栅绝缘层上的多条数据线，该多条数据线与该多条栅线交叉，从而限定多个像素区；对应于每个像素区的薄膜晶体管；该多条数据线上的第一钝化层；该第一钝化层上的第二钝化层，其中该第二钝化层包括么个像素区一侧的数据线上方的第一孔或每个像素区另一侧的栅线上方的第二孔，在该第二孔与栅线之间至少具有栅绝缘层；以及该第二钝化层上的像素电极，该像素电极与薄膜晶体管相连，其中该像素电极覆盖第一孔或第二孔；其中多个像素区包括第一和第二像素区以修补断路栅线，或第三和第四像素区以修补断路数据线，其中该方法包括用激光束照射分别位于断路栅线的断路部分两侧的第一孔上，以熔化该第一和第二像素区的像素电极部分并去除至少该栅绝缘层，借此该熔化的部分与断路的栅线接触；或者用激光束照射分别位于断路数据线的断路部分两侧的第二孔上，以熔化该第三和第四像素区的像素电极部分并去除该第一钝化层，借此该熔化的部分与断路数据线接触；以及使用激光CVD修补设备形成连接图案，从而将第一像素区的像素电极与第二像素区的像素电极相连接，或者将第三像素区的像素电极与第四像素区的像素电极相连接。 此外，形成连接图案可包括在阵列基板与激光CVD设备的激光束照射装置之间提供修补气体；以及从激光束照射装置照射出激光束，以光解该气体并将被光解的修补气体颗粒沉积在第一和第二像素区的像素电极上以及第一和第二像素区的像素电极之间，或者沉积在第三和第四像素区的像素电极上以及第三和第四像素区的像素电极之间。 此外，修补气体可为六羰基钨气体。 此外，栅绝缘层与第一钝化层均可由无机绝缘材料构成。 此外，第二钝化层的厚度可为约2微米至约4微米。 对本领域技术人员显而易见的是，基于上述特征可以进行多种修改、变化和组合。 应理解的是，上面的一般说明以及接下来的详细说明都是示例性的，并且试图提供对于所主张的本专利技术的进一步解释。附图说明 并入本说明书中并构成说明书一部分的附图提供了对于本专利技术的进一步的理解，并与该说明 一起用于解释本专利技术的原理。 附图中 图1为说明电泳型显示装置操作原理的示意性截面图； 图2为说明根据现有技术的电泳型显示装置的截面图； 图3为说明根据现有技术的电泳型显示装置的栅线修补过程的截面图； 图4为说明根据本专利技术实施方式的电泳型显示装置的平面图； 图5-7为分别沿着图4的线V-V至VII-VII的截面图； 图8A-8H为沿着图4的线V_V的截面图，说明了根据本专利技术实施方式的用于电泳型显示装置的阵列基板的制造方法； 图9为说明根据本专利技术实施方式对断路的栅线进行修补之后的电泳型显示装置的平面图；以及 图IOA和10B为沿着图9的线X-X的截面图，说明了对根据本专利技术实施方式的断路栅线进行修补的过程。具体实施例方式现在将参照说明性实施方式来详细描述本专利技术，这些都在附图中图解说明。 图4为说明根据本专利技术实施方式的电泳型显示装置的平面图，而图5-7为分别沿着图4的线V-V至VII-VII的截面图。 参见图4-7，电泳型显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括矩阵形式的多个像素区P。 阵列基板包括栅线107和数据线118，它们在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电泳型显示装置的阵列基板，包括：基板上的多条栅线；该多条栅线上的栅绝缘层；该栅绝缘层上的多条数据线，该多条数据线与该多条栅线交叉，从而限定多个像素区；对应于每个像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、以及源极和漏极；该多条数据线上的第一钝化层；该第一钝化层上的第二钝化层，其中该第二钝化层包括数据线上方的第一孔，以及栅线上方的第二孔，在栅线和第二孔之间至少具有栅绝缘层；以及该第二钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极相连，其中该像素电极的一部分覆盖第一孔，而该像素电极的另一部分覆盖第二孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜昇澈，朴成镇，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]