背照式图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种背照式图像传感器及其制造方法。所述背照式图像传感器包括：隔离区和像素区，位于第一衬底的前侧；光电探测器和读出电路，位于所述像素区上；层间介电层和金属线，位于所述第一衬底的前侧；第二衬底，被接合到形成有所述金属线的所述第一衬底的前侧；像素分隔离子注入层，在所述第一衬底的背侧位于所述隔离区上；以及微透镜，在所述第一衬底的背侧位于所述光电探测器上。根据本发明专利技术的背照式图像传感器及其制造方法，能够通过离子注入方法稳定而有效地去除衬底的背侧。也就是说，本发明专利技术采用的是离子注入和分切方法而不是进行背侧研磨和回蚀工艺，因此不会出现边缘裸片故障和等离子体损害。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种背照式图像传感器，包括：隔离区和像素区，位于第一衬底的前侧；光电探测器和读出电路，位于所述像素区上；层间介电层和金属线，位于所述第一衬底的前侧；第二衬底，被接合到形成有所述金属线的所述第一衬底的前侧；像素分隔离子注入层，在所述第一衬底的背侧位于所述隔离区上；以及微透镜，在所述第一衬底的背侧位于所述光电探测器上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金文焕，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]