【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种多晶碳化硅(sic)基础基板或晶片，其包括在第一侧处的第一密度、在与第一侧相对的第二侧处的第二密度以及从第二侧向第一侧增加的密度梯度。
技术介绍
1、半导体行业已对碳化硅(sic)表现出极大的关注，特别是用于电子设备或部件(例如，二极管、晶体管或其它相似功率应用)的制造。
2、基于碳化硅的电子设备的开发和制造受到诸如形成碳化硅晶片的电特性和机械特性之类因素的限制。许多碳化硅晶片在晶片的整个长度、宽度和厚度上具有均匀(例如，相同或基本相同)的密度。
3、在碳化硅晶片上耦合或形成另外的层之前，可以对碳化硅晶片的表面进行平坦化和抛光，使得该表面平坦且光滑。例如，对于具有较高密度的碳化硅晶片，空隙较小且可能较少，从而产生更光滑的表面。但是，较高密度的晶片使用更多的材料来增加密度，这增加了制造成本。但是，较高的密度有利于后续的制造步骤。
技术实现思路
1、本公开涉及提供碳化硅(sic)晶片的实施例，其可以是在第一侧和第二侧之间具有密度梯度的多晶sic晶片。sic...
【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(SiC)晶片还包括在所述第二侧处的具有小于5埃的粗糙度的表面。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(SiC)晶片的所述第二侧处的电阻率小于或等于20毫欧厘米(mohm-cm)。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(SiC)晶片的所述第二侧处的电阻率小于20毫欧厘米(mohm-cm)。
5.如权利要求1所述的设备，还包括从所述多晶碳化硅(SiC)晶片的所述第一侧延伸至所述第二侧的厚度，并且所述厚度小于或等于800微米(μm)。p>
6.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(sic)晶片还包括在所述第二侧处的具有小于5埃的粗糙度的表面。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(sic)晶片的所述第二侧处的电阻率小于或等于20毫欧厘米(mohm-cm)。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述多晶碳化硅(sic)晶片的所述第二侧处的电阻率小于20毫欧厘米(mohm-cm)。
5.如权利要求1所述的设备，还包括从所述多晶碳化硅(sic)晶片的所述第一侧延伸至所述第二侧的厚度，并且所述厚度小于或等于800微米(μm)。
6.如权利要求1所述的设备，还包括耦合到所述多晶碳化硅(sic)晶片的所述第二侧的单晶碳化硅(sic)层。
7.如权利要求6所述的设备，其中：
8.如权利要求7所述的设备，其中所述第二厚度小于或等于1微米(μm)。
9.如权利要求8所述的设备，其中所述第一厚度小于或等于800微米(μm)。
10.一种方法，包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中形成所述多晶碳化硅(sic)基板包括烧结以下至少一种：
12.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·马格努松林德格，C·里瓦，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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