【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜生长，特别是涉及一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法。
技术介绍
1、现有的超宽带隙六方氮化硼通常具有较宽的带隙，由于其化学稳定性常用于润滑剂等应用中，超宽带隙六方氮化硼(h-bn)因其优异的高热稳定性以及电子、光学和机械性能而受到特别关注。h-bn在电子方面适合作为场效应晶体管器件的栅极介电层，其导热性和低散热性能提高了集成电路的可靠性和寿命。常用的制备超宽带隙六方氮化硼薄膜的方法通常有化学气相沉积。化学气相沉积是通过气态原料之间的化学反应在基片上生成超宽带隙六方氮化硼薄膜，这是一个化学反应过程，制备工艺简单且价格便宜，但其缺点是沉积效率低下，并且大多数反应气体和挥发性气体有毒、易燃和易爆，且制成薄膜的厚度只能控制在微米级别，无法满足高精度且表面均匀的薄膜。
2、为此，亟需提出一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制。>
2、为解决上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，具体包括如下：
2.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述靶材包括氮化硼靶材。
3.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述气体包括氮气。
4.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述目标气压的范围介于1.3×10-6～6.6×10-2mbar。
5.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述目标温度的范围介于150℃～800℃。
6.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，具体包括如下：
2.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述靶材包括氮化硼靶材。
3.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述气体包括氮气。
4.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述目标气压的范围介于1.3×10-6～6.6×10-2mbar。
5.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述目标温度的范围介于150℃～800℃。
6.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述衬底包括单晶云母、蓝宝石、金刚石、高定向热解石墨、氮化镓和碳化硅衬底中至少一种。
7.如权利要求1所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，在所述将衬底加热升温至目标温度，并保持所述目标温度和所述目标气压之后，所述对所述靶材进行处理之前，还包括：对所述衬底进行预定时间的保温处理，然后再对所述衬底进行指定时间的预退火处理。
8.如权利要求7所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述指定时间的范围介于1～120min。
9.如权利要求7所述的超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐曦，郭素霞，谌平凡，韩昆，赵长辉，李小慧，解旻旻，何蝶，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：
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