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本公开涉及具有密度梯度的多晶碳化硅基板及其制造方法。更具体而言，一种多晶碳化硅(SiC)基板在多晶SiC基板的第一侧和多晶SiC基板的与第一侧相对的第二侧之间具有密度梯度。多晶SiC基板的第一侧处的第一密度小于多晶SiC基板的第二侧处的第二...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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