一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及激光晶体增益材料技术领域，特别是涉及一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体及其制备方法和应用。所述激光晶体的化学式为Nd<subgt;x</subgt;Y<subgt;2‑x</subgt;Mg<subgt;3</subgt;(SiO<subgt;4</subgt;)<subgt;3</subgt;，x为0.001～0.03。本发明专利技术提供的激光晶体以具有多重无序性的Y<subgt;2</subgt;Mg<subgt;3</subgt;(SiO<subgt;4</subgt;)<subgt;3</subgt;作为基质，三价钕离子为激活离子，替代Y的格位，形成～1μm宽带近红外发射，在医学治疗、传输通信、军事防御等领域具有重要应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光晶体增益材料，特别是涉及一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体及其制备方法和应用。

技术介绍

1、目前，可实现ld泵浦全固态飞秒激光输出的超快激光晶体中，nd3+掺杂的激光晶体能级丰富，可实现近红外波段激光输出，受到广泛关注。具体原因如下：(1)nd3+离子具有理想的四能级系统，可在～0.93μm、1.08μm、1.35μm处实现近红外发光，分别对应nd3+离子的4f3/2→4i9/2、4f3/2→4i11/2、4f3/2→4i13/2跃迁。(2)其基态与激发态能级差约为2000cm-1，具有较低的激光阈值。(3)nd3+在808nm处的吸收峰与商用gaalas半导体激光器的发射波长匹配良好，转换效率高。因此，nd3+掺杂的激光晶体材料得到了广泛的研究和应用，如用于中平均功率激光器的nd：yag，以及用于低功率、小型化激光器的nd：yvo4等nd3+掺杂激光晶体均已实现产业化。但yag的高对称性带来了较窄的光谱宽度，对泵浦光源线宽和温度依赖性提出了很高的要求。众所周知，较宽的发射谱带宽利于实现超短脉冲。而yvo4晶体在生长过程中由于原料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体，其特征在于，所述激光晶体的化学式为NdxY2-xMg3(SiO4)3，x为0.001～0.03。

2.一种权利要求1所述激光晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)煅烧的条件包括：温度为1250～1400℃，时间为15～20h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧的温度为1300～1350℃，时间为16h。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)煅烧后还包括：将煅烧后的材料进行研磨、筛分和压制后...

【技术特征摘要】

1.一种钕掺杂硅酸盐宽带近红外发射的激光晶体，其特征在于，所述激光晶体的化学式为ndxy2-xmg3(sio4)3，x为0.001～0.03。

2.一种权利要求1所述激光晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)煅烧的条件包括：温度为1250～1400℃，时间为15～20h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧的温度为1300～1350℃，时间为16h。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张沛雄，李琳，吴闻杰，尹浩，陈振强，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：