【技术实现步骤摘要】
各种实施方式总体上涉及一种包括背面晶体管的半导体装置和用于形成其的方法。
技术介绍
1、根据对轻、薄且紧凑的半导体装置的需求，正在研究使用层叠结构的技术。在层叠结构中，多个存储器单元可三维设置。多个存储器单元可连接到逻辑电路。逻辑电路可控制对多个存储器单元的擦除(或初始化)、写和读操作。
2、随着层叠结构中的电极层的数量增加，存储器单元的数量可增加。由于存储器单元的数量增加，逻辑电路的配置所需的有源/无源元件的数量也可增加。有源/无源元件的数量的增加可能成为半导体装置高度集成的障碍。
技术实现思路
1、各种实施方式旨在提供一种有利于高度集成并且具有优异的电特性的半导体装置以及用于形成其的方法。
2、基于所公开的技术的实施方式的半导体装置可包括第一基板，第一基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。可提供层叠结构，其设置在第一基板的第一表面上并且包括交替地层叠的多个层间绝缘层和多个水平布线层以及穿过多个层间绝缘层和多个水平布线层的多个沟道结构。多个上晶体管可设置在第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个上焊盘中的每一个直接接触所述多个下焊盘当中的对应一个。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述上通过晶体管经由所述第一贯通电极和所述多个中间互连件连接到所述第一接触插塞。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述上通过晶体管经由所述第一贯通电极、所述多个中间...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多个上焊盘中的每一个直接接触所述多个下焊盘当中的对应一个。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述上通过晶体管经由所述第一贯通电极和所述多个中间互连件连接到所述第一接触插塞。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述上通过晶体管经由所述第一贯通电极、所述多个中间互连件、所述多个上焊盘、所述多个下焊盘和所述多个下互连件连接到所述第一接触插塞。
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述下通过晶体管经由所述多个下互连件、所述多个下焊盘、所述多个上焊盘和所述多个中间互连件连接到所述第二接触插塞。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜昌佑，金镇浩，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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