新型半导体制冷器制造技术

本实用新型专利技术公开了新型半导体制冷器，包括有热电堆、散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，上导流片外侧传导面上设有至少一层类金刚石膜；热电堆上的下导流片外侧传导面上设置有陶瓷片，导冷件贴合在上述陶瓷片上。本实用新型专利技术目的是提供一种成本低且散热效率高，制冷效果好的新型半导体制冷器。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

新型半导体制冷器[
J本技术涉及一种新型半导体制冷器。
技术介绍
热电半导体器件是利用直流电流通过半导体材料PN结时产生 的帕尔贴效应产生制冷或制热效应根据电流方向的器件。目前工业生产的典型的热电半导体器件的基本单元是一对热电 偶，接通直流电源DC后，在热电偶上导流片和下导流片处就会产生 温度差和热量转移。由于一对半导体热电偶的热交换量很小，通常都 将若干对半导体热电偶在电路上串联起来，所有热电偶均布置并固定 在陶瓷制的散热绝缘基板和导冷绝缘基板之间形成热传导并联结构 的热电堆。由于散热绝缘基板和导冷绝缘基板均采用陶瓷片，而陶瓷 片生产成本高，容易破碎且其导热热阻比较大，散热效率低，制冷效 率不理想。 [
技术实现思路
J本技术克服了上述技术不足，提供一种成本低且散热效率 高，制冷效果好的新型半导体制冷器。为实现上述目的，本技术采用了下列技术方案 新型半导体制冷器，包括有热电堆、散热件和导冷件，其特征在 于所述热电堆上的上导流片外侧与所述散热件贴合，上导流片外侧传 导面上设有至少一层类金刚石膜；热电堆上的下导流片外侧传导面上设置有陶瓷片，所述导冷件贴合在上述陶瓷片上；所述陶瓷片为一长条片，所述导冷件和下导流片位于陶瓷片两相 对侧；所述上导流片为铜片；所述类金刚石膜电镀在所述上导流片外侧面；所述散热件相对所述上导流片的一侧设有规则排列的多个散热 片；所述导冷件相对所述陶瓷片一侧设有用于增大与空气接触面的多 个传导片。本技术的有益效果是-1、 在上导流片传导面上电镀类金刚石膜替代现有的陶瓷片，节 省了材料，降低了生产成本，通过类金刚石膜来传导，改善了冷、热 面传导效果，进一步提高散热效率，制冷效果提高；2、 散热件上的多个散热片，导冷件上用于增大与空气接触面的 多个传导片，大大提高散热、制冷效果；3、 类金刚石英文为Diamond-like Carbon，简称DLC,由于其具 有和金刚石非常相似的结构，因此具有和金刚石非常类似的性能，如 硬度最高达Hvl0000耐磨、导热率最高，因此它可作为散热效率最高 的散热片；同时类金刚石可以大面积合成，加工成本很低，便于推动 使用。[附图说明l以下结合附图与本技术的实施方式作进一步详细的描述 图l为本技术结构示意图。[具体实施方式如图所示，新型半导体制冷器，包括有热电堆l、散热件2和导 冷件3。其中，热电堆1的基本单元是把一只P型热电半导体元件 15和一只N型热电半导体元件16用上导流片11和下导流片12联 结成一对热电偶，热电堆1接通直流电源后，在上导流片11和下导 流片12处就会产生温度差和热量转移。本技术中，在下导流片 12处温度下降并吸热，称为冷端；在上导流片11处温度上升并放热， 称为热端。因为铜片传导性能较好，上导流片11和下导流片12均为 铜片制造。本技术中，热电堆1上的上导流片11外侧与散热件2贴合， 上导流片11外侧传导面上设有一层或多层类金刚石膜4,类金刚石 膜4电镀在上导流片11外侧面上；热电堆1上的下导流片12外侧传 导面上设置有陶瓷片6，导冷件3贴合在上述陶瓷片6上。陶瓷片6 为一长条片，导冷件3和下导流片12位于陶瓷片6的内、外两相对 侧。散热件2相对上导流片11的一侧设有规则排列的多个散热片210; 导冷件3相对陶瓷片6 —侧设有用于增大与空气接触面的多个传导片 310。权利要求1、新型半导体制冷器，包括有热电堆(1)、散热件(2)和导冷件(3)，其特征在于所述热电堆(1)上的上导流片(11)外侧与所述散热件(2)贴合，上导流片(11)外侧传导面上设有至少一层类金刚石膜(4)；热电堆(1)上的下导流片(12)外侧传导面上设置有陶瓷片(6)，所述导冷件(3)贴合在上述陶瓷片(6)上。2、 根据权利要求1所述的新型半导体制冷器，其特征在于所述 陶瓷片(6)为一长条片，所述导冷件(3)和下导流片(12)位于陶 瓷片(6)两相对侧。3、 根据权利要求1所述的新型半导体制冷器，其特征在于所述 上导流片(11)为铜片。4、 根据权利要求1或3所述的新型半导体制冷器，其特征在于 所述类金刚石膜(4)电镀在所述上导流片(11)外侧面。5、 根据权利要求1所述的新型半导体制冷器，其特征在于所述 散热件(2)相对所述上导流片(11)的一侧设有规则排列的多个散 热片(210);所述导冷件(3)相对所述陶瓷片(6) —侧设有用于增 大与空气接触面的多个传导片(310)。专利摘要本技术公开了新型半导体制冷器，包括有热电堆、散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，上导流片外侧传导面上设有至少一层类金刚石膜；热电堆上的下导流片外侧传导面上设置有陶瓷片，导冷件贴合在上述陶瓷片上。本技术目的是提供一种成本低且散热效率高，制冷效果好的新型半导体制冷器。文档编号F25B21/02GK201285192SQ20082020012公开日2009年8月5日 申请日期2008年9月2日 优先权日2008年9月2日专利技术者胡振辉 申请人:胡振辉本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型半导体制冷器，包括有热电堆（１）、散热件（２）和导冷件（３），其特征在于所述热电堆（１）上的上导流片（１１）外侧与所述散热件（２）贴合，上导流片（１１）外侧传导面上设有至少一层类金刚石膜（４）；热电堆（１）上的下导流片（１２）外侧传导面上设置有陶瓷片（６），所述导冷件（３）贴合在上述陶瓷片（６）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡振辉，
申请(专利权)人：胡振辉，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]