【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子系统封装领域。更确切地说，本专利技术用于半导体晶片的物理级封装。
技术介绍
由于具有高集成密度、相当低的静态漏电流以及不断提升的功率容量，功率金属氧化物半导体场效应管仍然广泛应用于开关电源和变频器等电力电子学领域。而且功率金属氧化物半导体场效应管还具有许多非常重要的特点，比如不断增加的集成度、日益减小的封装尺寸以及随之而来的消费者市场上对于散热不断提高的要求。 下面列举一些美国申请12/326， 065中提到的相关原有技术"DirectFET"技术(美国专利6， 624， 522，美国专利7， 285， 866和美国专利申请公开2007/0284722); 名为"含有漏极夹片的半导体芯片封装"的美国专利6， 777， 800 ; 相同受让人的名为"具有互联压窝板的半导体封装"的美国申请11/799,467 ; 名为"带有直连引线的集成电路芯片封装"的美国专利6，249，041 ; 名为"功率器件的自定心电极"的美国专利4， 935， 803 ; 相同受让人的名为"具有互联桥板的半导体封装"的美国专利申请公开 20080087992 ; 相同受让...
【技术保护点】
一种带有整合旁路电容器的紧密半导体封装，其特征在于，该半导体封装包括：一个带有数个终端引线的电路衬底，用于外部电接线；数个底面连接在电路衬底上面的半导体芯片；数个高度－自适应的互联板，用于将每个半导体芯片的顶部接触区连接和互联至电路衬底上，在三维成型的同时，适应顶部接触区和电路衬底之间的高度差，于是形成顶部接触区与终端引线之间的电接线；第一个高度－自适应的互联板结构具有一个第一平顶区域，第二个高度－自适应的互联板结构具有一个第二平顶区域，此区域与第一平顶区域一样高；一个带有两个末端电容器端子的旁路电容器，堆积在两个互联板结构上，并通过第一平顶区域和第二平顶区域连接在互联板结...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰茨娃赫尔伯特，刘凯，
申请(专利权)人：万国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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