具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法技术

本公开提供了具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法。该竖直晶体管包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、第一栅极和漏极，源极、第一栅极和漏极均具有中心设置有孔的板形状，源极和漏极的孔面积小于第一栅极的孔面积；在第一栅极的孔内壁上形成的第一栅介质，第一栅介质在竖直方向上具有开口向内的C形剖面；在竖直方向上沿源极的孔的内壁、第一栅介质的开口和漏极的孔内壁延伸的半导体材料层；在竖直方向上沿半导体材料层的内壁延伸的第二栅介质；以及在竖直方向上沿第二栅介质的内壁延伸的第二栅极，其中，半导体材料层的与第一栅介质和第二栅介质交叠的部分形成C形沟道。根据本公开可以在晶体管中实现独立的源极和漏极接触。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及新型的具有c形沟道的竖直晶体管及其制造方法。

技术介绍

1、由使用原子层沉积(ald)工艺制造的氧化物半导体形成的薄膜晶体管因其沟道的低沉积温度而受到了广泛关注，使它们适用于基于后段工艺(beol)的存储和计算应用。然而，这些晶体管的三维(3d)集成主要依赖于顺序逐层制造的方法，这种方法不仅导致了更高的光刻成本，而且在后续的工艺步骤中，先前形成的晶体管层的性能通常会下降。

2、在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本专利技术构思的背景，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的以上问题，本公开提出了一种新型的具有c形沟道的竖直晶体管及其制造方法。

2、根据本公开的一个方面，提供了一种具有c形沟道的竖直晶体管，其包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、第一栅极和漏极，源极、第一栅极和漏极均具有中心设置有孔的板形状，源极和漏极的孔的面积小于第一栅极的孔的面积；在第一栅极的孔的内壁上形成的第一栅介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有C形沟道的竖直晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

3.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

4.根据权利要求1所述的竖直晶体管，还包括：

5.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

6.一种用于制造具有C形沟道的竖直晶体管的方法，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

10.根据权利要求6所述的方法，还包括：

11.根据权利要求6所述的方法，其中，<...

【技术特征摘要】

1.一种具有c形沟道的竖直晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

3.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

4.根据权利要求1所述的竖直晶体管，还包括：

5.根据权利要求1所述的竖直晶体管，其中，

6.一种用于制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘立阳，刘子易，张跃钢，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：