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本公开提供了具有C形沟道的竖直晶体管及其制造方法。该竖直晶体管包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、第一栅极和漏极，源极、第一栅极和漏极均具有中心设置有孔的板形状，源极和漏极的孔面积小于第一栅极的孔面积；在第一栅极的孔内壁上形成的第一...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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