指向性发光的Micro-LED倒装芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种指向性发光的Micro‑LED倒装芯片及其制备方法，Micro‑LED倒装芯片包括硅基板和发光单元，发光单元包括依次堆叠的第一钝化层、DBR反射层、n‑GaN层、蓝光多量子阱层、p‑GaN层、ITO电流扩展层和第二钝化层，本发明专利技术先通过刻蚀、清洗后形成自所述ITO电流扩展层延伸至所述n‑GaN层的发光台面阵列，第二钝化层包覆于发光台面阵列；然后经过多次光刻在第二钝化层的不同位置形成反射电极结构，包括P‑Pad反射电极层、N‑Pad反射电极层和侧壁反射电极层。本发明专利技术通过控制发光台面的预设尺寸、增加反射电极结构和顶部DBR反射层，有效提高Micro‑LED倒装芯片光效、实现垂直于发光台面方向的指向性出光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体纳米显示，特别涉及一种指向性发光的micro-led倒装芯片及其制备方法。

技术介绍

1、随着智能可穿戴设备、增强现实和虚拟现实等新兴科技的兴起，高端显示技术已成为市场的迫切需求。迷你发光二极管(mini-led)和微米发光二极管(micro-led)是新一代显示技术，具有自发光显示特性，相较于有机发光二极管(organic light-emittingdiode，oled)技术，mini-led和micro-led显示装置具有亮度及稳定性更高、发光效率更高、功耗更低、响应时间更快等一系列的优点。已经在电视、平板显示、手机显示等领域有了一系列产品。

2、近年来，具有低功耗、高功率、广色域、超长寿命、超短响应时间等突出特点的micro-led在高性能显示领域被广泛探究，并初步应用于各种智能穿戴设备(手机/手表等)、ar/vr、裸眼3d投影、高清电视(hdtv)等领域。同时，这一系列应用也对micro-led芯片性能提出了新的挑战。总体来说，led包括micro-led发光分布对大面积照明领域(均匀照明)或广角电视来说不具有显著本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种指向性发光的Micro-LED倒装芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的指向性发光的Micro-LED倒装芯片，其特征在于，所述发光单元还包括作为隔离结构的黑胶阻挡阵列，所述黑胶阻挡阵列包括多个间隔嵌设于所述DBR反射层的黑胶光刻条，每个所述黑胶阻挡条沿所述发光单元的厚度方向对位对应两个相邻所述发光台面之间的间隙，以此阻断任意相邻所述发光台面之间的光串扰。

3.根据权利要求1所述的指向性发光的Micro-LED倒装芯片，其特征在于，所述反射电极结构包括加厚电极层，所述加厚电极层堆叠设于所述N-Pad反射电极层背离所述n-GaN层的一侧，所述加厚...

【技术特征摘要】

1.一种指向性发光的micro-led倒装芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的指向性发光的micro-led倒装芯片，其特征在于，所述发光单元还包括作为隔离结构的黑胶阻挡阵列，所述黑胶阻挡阵列包括多个间隔嵌设于所述dbr反射层的黑胶光刻条，每个所述黑胶阻挡条沿所述发光单元的厚度方向对位对应两个相邻所述发光台面之间的间隙，以此阻断任意相邻所述发光台面之间的光串扰。

3.根据权利要求1所述的指向性发光的micro-led倒装芯片，其特征在于，所述反射电极结构包括加厚电极层，所述加厚电极层堆叠设于所述n-pad反射电极层背离所述n-gan层的一侧，所述加厚电极层的上表面与所述p-pad反射电极层的端面齐平；所述加厚电极层电性连接于所述p-pad反射电极层与所述第一电极。

4.根据权利要求1所述的指向性发光的micro-led倒装芯片，其特征在于，所述micro-led倒装芯片还包括键合层，所述第一电极、所述键合层、所述p-pad反射电极层依次键合，所述第二电极、所述键合层、所述n-pad反射电极层依次键合，所述键合层的材料为ausn共价晶体、in球、各向异性导电胶其中的一种。

5.根据权利要求1所述的指向性发光的micro-led倒装芯片，其特征在于，所述第一钝化层材料为al2o3；

6.一种指向性发光的micro-led倒装芯片的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙小卫，李诚诚，刘一凡，何伟，唐浩东，段西健，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：