【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置。
技术介绍
1、环栅(gate-all-around，gaa)晶体管结构是3nm以下介电替代鳍式晶体管(finfet)最有竞争力的器件结构，能有效改善随着器件尺寸沿着摩尔定律不断微缩所带来的短沟道效应的问题。gaa晶体管结构的制备流程中，通过多次循环工艺制备sige/si外延堆叠层是最新引入的工艺技术。以64次循环为例，需要采用128步逐层堆叠工艺来形成总厚度约为4微米的sige/si外延堆叠层。但是，sige/si外延堆叠层中的外延层厚度随着堆叠层数的增加不断递减，从而导致sige/si外延堆叠层的性能较差，影响后续工艺的顺利实施。
2、外延膜层的生长工艺是在外延膜层的生长装置中实施。外延膜层的生长装置中通常设置有测温仪，所述测温仪通过不同物质在不同温度下的辐射系数(emissivity)不同来实现温度的监测。在外延膜层的生长过程中，所述测温仪用于监测承载有晶圆的基座的温度。但是，由于在外延膜层的生长过程中，反应气体会穿过基座或者加热部件之间的...
【技术保护点】
1.一种外延膜层的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述晶圆表面具有第一晶向，所述覆盖层的材料为单晶硅，且所述单晶硅具有不同于所述第一晶向的第二晶向。
3.根据权利要求2所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述第二晶向为(1,1,1)晶向。
4.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述覆盖层的厚度为5mm～20mm。
5.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述本体部包括第一部分以及包裹所述第一部分的第二部分，所述第二部分包括相对分布的...
【技术特征摘要】
1.一种外延膜层的生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述晶圆表面具有第一晶向，所述覆盖层的材料为单晶硅，且所述单晶硅具有不同于所述第一晶向的第二晶向。
3.根据权利要求2所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述第二晶向为(1,1,1)晶向。
4.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述覆盖层的厚度为5mm～20mm。
5.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述本体部包括第一部分以及包裹所述第一部分的第二部分，所述第二部分包括相对分布的顶面和底面，且所述第二部分的顶面作为所述第一表面，所述第二部分的底面作为所述第二表面；
6.根据权利要求1所述的外延膜层的生长装置，其特征在于，所述本体部包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，董信国，储郁冬，贾超超，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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