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本发明涉及一种外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置。所述外延膜层的生长装置包括：反应腔室；基座，位于所述反应腔室内，所述基座包括本体部和覆盖层，所述本体部包括相对分布的第一表面和第二表面，所述本体部的所述第一表面用于承载晶圆，所述覆盖层覆...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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