【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体治具的，具体涉及一种降氧组件及单晶炉用热场。
技术介绍
1、在单晶的成型过程中，高温加热会导致坩埚产生氧气，氧气会氧化单晶炉内的石墨件和保温材料，从而会影响单晶炉的零件的使用寿命。目前，主要在下保温桶上部安装降氧组件以达到降氧的目的，但是，现有的降氧组件通常通过反射热量来降氧，反射的热量可能存在于坩埚的周围，导致降氧率收到限制，并且现有的降氧组件不能达到平衡温度梯度的效果。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种利于提高降氧率以及维持轴向温度梯度平衡的降氧组件。
2、本申请还提供包括降氧组件的单晶炉用热场。
3、为解决上述问题，本技术所采用的技术方案如下：
4、一种降氧组件，包括至少两个降氧件，至少两个所述降氧件被配置为形成环形结构；
5、所述降氧件包括：
6、第一部，设有第一通孔；
7、第二部，沿所述环形结构的法向观察，所述第二部和所述第一部相对间隔设置，所述第二部设有第二...
【技术保护点】
1.一种降氧组件，其特征在于，包括至少两个降氧件，至少两个所述降氧件被配置为形成环形结构；
2.如权利要求1所述的降氧组件，其特征在于，所述第一通孔的孔径大于所述第二通孔的孔径。
3.如权利要求2所述的降氧组件，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔均为圆孔，所述第一通孔的孔径为30－50mm，所述第二通孔的孔径为10－30mm。
4.如权利要求1所述的降氧组件，其特征在于，所述连接部具有开窗，所述开窗被配置为形成所述空腔，所述第一通孔和所述第二通孔两者在所述连接部的投影置于所述开窗内；
5.如权利要求4所述的降氧组件，...
【技术特征摘要】
1.一种降氧组件，其特征在于，包括至少两个降氧件，至少两个所述降氧件被配置为形成环形结构；
2.如权利要求1所述的降氧组件，其特征在于，所述第一通孔的孔径大于所述第二通孔的孔径。
3.如权利要求2所述的降氧组件，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔均为圆孔，所述第一通孔的孔径为30－50mm，所述第二通孔的孔径为10－30mm。
4.如权利要求1所述的降氧组件，其特征在于，所述连接部具有开窗，所述开窗被配置为形成所述空腔，所述第一通孔和所述第二通孔两者在所述连接部的投影置于所述开窗内；
5.如权利要求4所述的降氧组件，其特征在于，所述降氧组件还包括：
6.如权利要求5所述的降氧组件，其特征在于，所述第一部相对所述连接部的端面还凹陷形...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐志群，徐凯旋，付明全，金霞，马腾飞，
申请(专利权)人：青海高景太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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