单晶炉制造技术

本发明专利技术提供了一种单晶炉。单晶炉包括：炉体；至少一个进风管组件，进风管组件与炉体的内部可开闭地连通；至少一个调节组件，进风管组件的内部设置有至少一个调节组件，调节组件的至少一部分与进风管组件固定连接，调节组件的至少另一部分能够相对进风管组件运动，调节组件具有打开位置和关闭位置；当调节组件处于打开位置时，调节组件与进风管组件的周向内侧壁之间形成连通开口，以使进风管组件与炉体的内部连通；当调节组件处于关闭位置时，进风管组件和炉体的内部被调节组件分隔。本发明专利技术解决了现有技术中单晶炉使用性能差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶炉，具体而言，涉及一种单晶炉。

技术介绍

1、随着现代科技的飞速发展，对高质量晶体材料的需求呈现爆发式增长。在半导体领域，从传统的集成电路到新兴的5g通信芯片、人工智能芯片，对单晶硅、锗等半导体晶体的质量和尺寸要求越来越高。

2、在高温的晶体生长环境下，晶体材料极易与空气中的氧气、水蒸气等发生化学反应，不仅会改变晶体的化学组成，还会在晶体内部引入缺陷，严重影响半导体器件的电学性能，因此，为了避免这些有害反应，需要在单晶炉内营造一个纯净、无氧的环境。

3、现有装置在释放氩气时大多数不能够对其释放的气体流量进行调节，在晶体生长的各个阶段需要释放的氩气流量不一样，不仅会导致晶体内部产生各种缺陷，降低了晶体的质量，而且如果不能根据晶体生长阶段调节氩气流量，会导致能源浪费。

4、因此，现有技术中存在单晶炉使用性能差的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种单晶炉，以解决现有技术中单晶炉使用性能差的问题。

2、为了实现上述目的，根据本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶炉，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述调节组件(30)具有多个打开位置，当所述调节组件(30)处于不同的所述打开位置时，所述调节组件(30)的开度不同。

3.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述调节组件(30)包括：

4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述驱动部(31)包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述进风管组件(20)包括：

7.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种单晶炉，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述调节组件(30)具有多个打开位置，当所述调节组件(30)处于不同的所述打开位置时，所述调节组件(30)的开度不同。

3.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述调节组件(30)包括：

4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述驱动部(31)包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述进风管组件(20)包括：

7.根据权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述限位部(23)包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵国伟，刘鑫，乔乐，高彬彬，付明全，
申请(专利权)人：青海高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：