磁存储装置制造方法及图纸

实施方式的磁存储装置包括第1布线和第2布线、存储单元、晶体管、感测放大器以及控制电路。存储单元(MC)包括串联连接在第1布线与第2布线之间的磁阻效应元件(VR)。晶体管(60)连接在第2布线与接地节点之间。感测放大器(SA2)基于第1布线与第2布线的电压差，判定存储于存储单元的数据。在读出工作中，控制电路将第1布线充电为第1电压。控制电路在对第1布线进行充电后，通过对晶体管的栅极端施加第2电压而经由在一端与另一端之间流动的电流被限制为第1电流的晶体管对第1布线进行放电。控制电路基于经由晶体管而被放电的第1布线的电压，使感测放大器(SA2)判定存储于存储单元的数据。由此，改善存储单元的读出性能。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及磁存储装置。

技术介绍

1、已知有将磁阻效应元件用作存储元件的存储装置(mram：magnetoresistiverandom access memory(磁阻式随机存取存储器))。

2、现有技术文献

3、专利文献1：日本特开2021-47950号公报

4、非专利文献1：c.park et al.,"low ramagnetic tunnel junction arrays inconjunction with low switching current and high breakdown voltage for stt-mram at 10nm and beyond,"2018ieee symposium on vlsi technology,2018,pp.185-186

技术实现思路

1、专利技术所要解决的技术问题

2、改善存储单元(memory cell)的读出(读取)性能。

3、用于解决问题的技术方案>

4、实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，

4.根据权利要求3所述的磁存储装置，

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，

10.根据权利要求1所述的磁存储装置，

11.一种磁存储装置，具备：

12.根据权利要求11所述的磁存储装置，还具备：

...

【技术特征摘要】

1.一种磁存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，

4.根据权利要求3所述的磁存储装置，

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，

8.根据权利要求7所述的磁存储装置，

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，

10.根据权利要求1所述的磁存储装置，

11.一种磁存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉浦邦晃，小林洋介，松下直辉，岩山昌由，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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