半导体存储器制造技术

本发明专利技术提供一种能抑制噪声传播的半导体存储器。一个实施方式的半导体存储器(30)含有包含衬底(201)的第1芯片(200)、及在第1面与第1芯片贴合的第2芯片(100)。第2芯片具有包含存储单元阵列及第1屏蔽线(SHL)的第1区域、与包含第2屏蔽线(SHL)且与第1区域不同的第2区域。第1屏蔽线设置在第1面与存储单元阵列之间。第2屏蔽线设置在与第1屏蔽线相同的层(M1)，不与第1屏蔽线电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储器。

技术介绍

1、作为半导体存储器，已知有nand型闪存。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种能抑制噪声传播的半导体存储器。

2、实施方式的半导体存储器含有包含衬底的第1芯片、及在第1面与第1芯片贴合的第2芯片。第2芯片具有包含存储单元阵列及第1屏蔽线的第1区域、与包含第2屏蔽线且与第1区域不同的第2区域。第1屏蔽线设置在第1面与存储单元阵列之间。第2屏蔽线设置在与第1屏蔽线相同的层，不与第1屏蔽线电连接。

【技术保护点】

1.一种半导体存储器，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

11.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

8.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中

10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳平康辅，细村嘉一，尾崎正一，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：