【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及一种包括磁性隧道结的磁性存储器件和/或一种制造该磁性存储器件的方法。
技术介绍
1、由于对速度提高的和/或功耗降低的电子装置的渐增需求，半导体器件需要或使用更快的工作速度和/或更低的工作电压。为了满足此类期望，已经提出了磁性存储器件。例如，磁性存储器件能够提供诸如高性能和/或非易失性之类的技术优点，因此，磁性存储器件正在作为下一代存储器件出现。
2、磁性存储器件包括磁性隧道结(mtj)图案。mtj图案可以包括两个磁性层和介于这两个磁性层之间的绝缘层。mtj图案的电阻取决于磁性层的磁化方向。例如，mtj图案的电阻在磁性层的磁化方向彼此反平行时比在它们彼此平行时高。这种电阻差异能够用于磁性存储器件的数据写入/读取操作。
3、然而，为了大规模生产磁性存储器件并且满足对具有更高集成度和/或更低功耗性质的磁性存储器件的需求或期望，仍然在继续做更多的研究。
技术实现思路
1、各种示例实施例可以提供一种磁性存储器件，所述磁性存储器件包括被防止凹陷或者凹陷可能性降...
【技术保护点】
1.一种磁性存储器件，所述磁性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一宽度是所述第二宽度的1.3倍至1.5倍。
3.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述数据存储结构包括顺序地堆叠在所述下接触插塞上的底电极、磁性隧道结图案和顶电极。
4.根据权利要求3所述的磁性存储器件，其中，所述磁性隧道结图案包括第一磁性图案、第二磁性图案以及位于所述第一磁性图案与所述第二磁性图案之间的隧道阻挡图案。
5.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述下接触插塞包括：
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器件，所述磁性存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述第一宽度是所述第二宽度的1.3倍至1.5倍。
3.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述数据存储结构包括顺序地堆叠在所述下接触插塞上的底电极、磁性隧道结图案和顶电极。
4.根据权利要求3所述的磁性存储器件，其中，所述磁性隧道结图案包括第一磁性图案、第二磁性图案以及位于所述第一磁性图案与所述第二磁性图案之间的隧道阻挡图案。
5.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述下接触插塞包括：
6.根据权利要求5所述的磁性存储器件，其中，所述下阻挡图案包括金属氮化物材料。
7.根据权利要求1所述的磁性存储器件，所述磁性存储器件还包括：
8.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述下接触插塞的底表面与所述下互连线直接接触。
9.根据权利要求1所述的磁性存储器件，所述磁性存储器件还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：郑炯钟，高昇必，柳炅勋，裵丙才，申光日，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。