存储器件制造技术

技术编号:42841823 阅读:24 留言:0更新日期:2024-09-27 17:13
实施方式涉及存储器件。实施方式的存储器件包括多个存储单元、第1布线~第4布线以及多个第1晶体管。多个存储单元被分类为各自包括在第2方向上排列的多个第1存储单元的多个存储单位。各第1布线与多个存储单位中的任一存储单位的多个第1存储单元连接。多个第1晶体管分别与多条第1布线连接。第2布线分别经由相同的层的多个第1晶体管而与相同的层的多条第1布线的各第1布线连接。多条第3布线各自在第1方向上延伸设置。多条第3布线分别与多个存储单元连接。各第4布线在第1方向上延伸设置。多条第4布线分别与多个第1晶体管的栅极连接。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及存储器件


技术介绍

1、已知具备以三维的方式层叠的存储单元(memory cell)的dram(dynamic randomaccess memory,动态随机存取存储器)。


技术实现思路

1、实施方式的存储器件包括多个存储单元、多条第1布线、多个第1晶体管、第2布线、多条第3布线以及多条第4布线。多个第1存储单元按在第1方向上排列的每多个层而设置。多个存储单元的各个被分类为包括在与第1方向交叉的第2方向上排列的多个第1存储单元、且在与第1方向和第2方向的各个方向不同的第3方向上排列的多个存储单位。多条第1布线按每多个层而在第3方向上排列设置。多条第1布线的各个与相同的层的多个存储单位中的任一个存储单位的多个第1存储单元连接。多个第1晶体管按每多个层而设置。多个第1晶体管分别与相同的层的多条第1布线连接。第2布线按每多个层而设置。第2布线分别经由相同的层的多个第1晶体管而与相同的层的多条第1布线的各第1布线连接。多条第3布线的各个在第1方向上延伸设置。多条第3布线分别与多个层各自的多个存储单元连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器件,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器件,

3.根据权利要求1所述的存储器件,

4.根据权利要求3所述的存储器件,

5.根据权利要求4所述的存储器件,

6.根据权利要求1所述的存储器件,

7.根据权利要求1所述的存储器件,还具备:

8.根据权利要求7所述的存储器件,

9.根据权利要求2所述的存储器件,

10.根据权利要求9所述的存储器件,

11.根据权利要求10所述的存储器件,

12.根据权利要求1所述的存储器件,>

13.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种存储器件,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器件,

3.根据权利要求1所述的存储器件,

4.根据权利要求3所述的存储器件,

5.根据权利要求4所述的存储器件,

6.根据权利要求1所述的存储器件,

7.根据权利要求1所述的存储器件,还具备:

8.根据权利要求7所述的存储器件,

9.根据权利要求2所述的存储器件...

【专利技术属性】
技术研发人员:杉本刚士
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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