基于多级单元闪存的数据存储方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置。该方法包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。该装置包括：页获取模块、生成页表模块和数据写入模块。本发明专利技术实施例可以进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置。
技术介绍
目前，闪存(Nand Flash)包括单级单元(SLC，Single Level Cell)闪存和多级单 元(MLC，Multi Level Cell)闪存两种。 单级单元闪存是由一定数量的存储单元块(Block)构成的。以常见的单级单元闪 存为例，其每一个存储单元块包含64个页(Page)，每一个页包含2112个存储单元(Cell), 每一个存储单元存储1比特数据，从物理结构看，该1比特数据是分布在1个页上的。页为 最小编程单元，页按照地址大小顺序排列。 多级单元闪存也是由一定数量的存储单元块构成的。以常见的多级单元闪存为 例，其每一个存储单元块包含128个页，每一个页包含2112个存储单元，不同于单级单元闪 存，多级单元闪存的每一个存储单元可以存储2个比特数据，而这2比特数据分别分布在两 个页中，此2112个存储单元关联了两个页，因此其128个页构成了 64个页对。 对多级单元闪存写入数据时，由于页是其最小编程单元，操作其中一个页时，任意 一个存储单元会被写入1个比特数据，但当操作与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多级单元闪存的数据存储方法，其特征在于，包括：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。

【技术特征摘要】
一种基于多级单元闪存的数据存储方法，其特征在于，包括从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从存储单元块内的每一个页对中获 取一个页具体为从存储单元块内的每一个页对中随机选取一个页。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从存储单元块内的每一个页对中获 取一个页具体为从存储单元块内的每一个页对中选取页地址最小的一个页。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从存储单元块内的每一个页对中获 取一个页具体为从存储单元块内的每一个页对中选取页地址最大一个页。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据从所述存储单元块中获取的页 生成该存储单元块的页表具体为将获取的页按照页地址的大小从小到大进行顺序排列，构成该存储单元块的页表。6. 根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述根据生成的所述页表将数 据写入所述存储单元块具体为按照生成的所述页表中的页地址的排列顺序将数据写入所述存储单元块。7. —...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，
申请(专利权)人：芯邦科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]