【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光致抗蚀剂去除用组合物和使用该组合物制造阵列基板的方法。
技术介绍
通常，光刻工艺包括光学处理，所述光学处理包括将形成于掩模中或掩模上的图案转录至基板。该基板上可以设置有薄层，薄层的功能在下文中说明。光刻工艺可用于制造含有集成电路或大规模集成电路等的半导体装置、诸如液晶显示(LCD)装置或平板显示装置等显示装置，等等。 光刻工艺包括在基材(base substrate)上涂布光敏性物质，在具有光致抗蚀剂的基材上设置掩模，使所述基材曝光并使所述光致抗蚀剂显影以形成光致抗蚀剂图案。通过采用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻形成于基材上的薄层，从而形成薄层图案。然后，采用剥离剂将所述光致抗蚀剂图案从基材上去除。 去除光致抗蚀剂图案的方法通常在较高的温度进行。例如，当用剥离剂在高温去除光致抗蚀剂图案时，剥离剂与形成于光致抗蚀剂图案下的薄层中的金属反应，从而腐蚀该薄层。为了解决上述问题，将常规剥离剂与缓蚀剂一起使用。 剥离剂的实例包括伯胺和仲胺，其中包括单乙醇胺、甲基乙醇胺等。伯胺和仲胺具有较低的沸点，使得所述伯胺和仲胺易于蒸发。因此，随着时间的流逝，剥...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂去除用组合物，所述组合物包含： ａ）包含环胺和／或二元胺的胺化合物； ｂ）乙二醇醚类化合物； ｃ）缓蚀剂；和 ｄ）极性溶剂。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑄英，朴弘植，郑锺铉，金俸均，李炳珍，金柄郁，郑宗铉，尹锡壹，辛成健，许舜范，郑世桓，张斗瑛，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：KR[]
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