【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，具体地说，涉及一种深沟槽隔离结构及其制作方法。
技术介绍
1、深沟槽隔离技术(deep trench isolation，dti)是一种用于集成电路制造的隔离技术，常用于bcd(bipolar-cmos-dmos)高压器件隔离，常见于层间介质层(inter layerdielectric，ild)工艺后在浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)的基础上进行深沟槽隔离，以达到高压隔离的目的。但这种工艺顺序会对刻蚀机台造成污染，因此，需考虑是否可以在浅沟槽隔离后直接进行深沟槽隔离，随后通过沉积四乙基原硅酸盐(teos)封口，从而对后续工艺不造成影响。
2、这种浅沟槽隔离后进行深沟槽隔离的工艺顺序，对深沟槽隔离技术的封口工艺要求较高。由于沉积效率，常常出现需要沉积多次四乙氧基硅烷才能封口的现象，并且封口质量不高。如何通过改善加工工艺从而实现高质量、高效的填充深沟槽隔离是本专利技术的目的。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，通过工艺改善后的该深沟槽隔离结构的制作方法，可获得封口更好的深沟槽隔离结构，实现半导体结构的高质量隔离。
2、本专利技术的第一方面提供了一种深沟槽隔离结构的制作方法，所述制作方法包括
3、提供衬底，在所述衬底的一表面形成有第一氧化层；
4、在所述第一氧化层和部分厚度的所述衬底中形成第一沟槽；
5、在所述第一沟槽中填充第二氧化物形成第二氧化填充层；
6、形成第一硬掩膜层；
7、采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第一硬掩膜层、所述第二氧化填充层和部分厚度的所述衬底形成第二沟槽，所述第二沟槽在所述衬底的垂直投影落入所述第一沟槽在所述衬底的垂直投影，所述第一刻蚀工艺刻蚀所述第二氧化填充层的速度为第一刻蚀速度，所述第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底的速度为第二刻蚀速度，且所述第一刻蚀速度小于所述第二刻蚀速度；
8、去除所述第一硬掩膜层。
9、根据本专利技术的第一方面，所述制作方法还包括：
10、在所述第二沟槽中填充隔离材料，在所述衬底中形成深沟槽隔离结构。
11、根据本专利技术的第一方面，所述隔离材料为非晶氧化硅。
12、根据本专利技术的第一方面，所述衬底为硅基衬底，所述第一硬掩膜层的材质为氮化硅。
13、根据本专利技术的第一方面，所述去除所述第一硬掩膜层步骤中，采用含氢氟酸的溶液去除所述第一硬掩膜层。
14、根据本专利技术的第一方面，所述第一沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度大于所述第一氧化层的厚度。
15、根据本专利技术的第一方面，所述第一沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度在300nm～600nm之间。
16、根据本专利技术的第一方面，所述第二沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度大于或者等于1200nm。
17、根据本专利技术的第一方面，所述第二沟槽在所述第二氧化填充层中的径向尺寸小于所述第二沟槽在所述衬底中的径向尺寸。
18、根据本专利技术的第一方面，所述在所述第一氧化层和部分厚度的所述衬底中形成第一沟槽步骤包括以下步骤：
19、在所述第一氧化层的表面形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层的材质为氮化硅；
20、图案化所述第二硬掩膜层；
21、采用第二刻蚀工艺刻蚀所述第一氧化层和部分厚度的所述衬底形成第一沟槽；
22、所述在所述第一沟槽中填充第二氧化物形成第二氧化填充层步骤包括以下步骤：
23、沉积第二氧化层，所述第二氧化层的材料为第二氧化物；
24、采用化学机械研磨工艺去除所述第二硬掩膜层上方的所述第二氧化填充层，形成在所述第一沟槽中填充的第二氧化填充层。
25、本专利技术的第二方面提供了一种深沟槽隔离结构，采用所述的制作方法获得。
26、本专利技术的深沟槽隔离结构的制作方法中，通过增加在在先制备的浅沟槽中填充第二氧化填充层的步骤，再调整优化刻蚀工艺，使刻蚀工艺对衬底的刻蚀速度大于对第二氧化填充层的刻蚀速度，从而获得具有瓶颈结构的第二沟槽，隔离材料填充后的第二沟槽的瓶颈结构，形成的深沟槽隔离结构更容易封口，从而实现半导体结构的高质量隔离。
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1.一种深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述隔离材料为非晶氧化硅。
4.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅基衬底，所述第一硬掩膜层的材质为氮化硅。
5.根据权利要求4所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一硬掩膜层步骤中，采用含氢氟酸的溶液去除所述第一硬掩膜层。
6.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度大于所述第一氧化层的厚度。
7.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度在300nm～600nm之间。
8.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度大于或者等于1200nm。
9.
10.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一氧化层和部分厚度的所述衬底中形成第一沟槽步骤包括以下步骤：
11.一种深沟槽隔离结构，其特征在于，采用权利要求1至10任意一项所述的制作方法获得。
...【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述隔离材料为非晶氧化硅。
4.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅基衬底，所述第一硬掩膜层的材质为氮化硅。
5.根据权利要求4所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一硬掩膜层步骤中，采用含氢氟酸的溶液去除所述第一硬掩膜层。
6.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽在垂直所述衬底的方向上的高度大于所述第一氧化层的厚度。
【专利技术属性】
技术研发人员：雷敏，廖黎明，范永，仇峰，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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