温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种深沟槽隔离结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底的一表面形成有第一氧化层；在第一氧化层和部分厚度的衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽中填充第二氧化物形成第二氧化填充层；形成第一硬掩膜层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。