半导体装置制造方法及图纸

在安装工作时的温度分布不对称的半导体元件的半导体装置中，通过使左右两端的内部引线的长度不对称，使得半导体元件安装部的左右区域为不同大小，以半导体元件的高温区域侧位于安装部较宽的区域的方式安装半导体元件，并通过在安装部较宽的区域中进行中间部的内部引线的接合，从而可以提供一种既确保散热性、又安装长的半导体元件、且小型的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在安装基板上安装半导体元件的半导体装置。
技术介绍
对于光学式记录再生装置，为了将其组装到笔记本电脑等薄型设备中，要 求是薄型的装置，而作为安装于光学式记录再生装置中的半导体激光器装置， 也要求是薄型结构、且散热性好的装置下面，用图3A、图3B对已有的半导体激光器装置的结构进行说明。 图3A、图3B是表示己有的半导体激光器装置的简图。已有的半导体激光器装置是树脂模铸封装型的半导体激光器装置，采用以 下结构，即，框体101的引线703部分与半导体激光器元件安装部701有高低差 H3，模铸树脂103不从框体背面突出。由于是封装背面不突出的结构，所以易 于安装外部散热部件，从而易于确保散热。但是，近年来，随着与光学式信息记录再生装置的高速记录相对应，要求 半导体激光器装置高输出化。随着安装于半导体激光器装置的半导体激光器元 件的高输出化，其谐振器长度变长，在双波长单片型半导体激光器元件中，脉 冲光输出为400 500roW，其谐振器长度为2. O誦以上。由于谐振器长度变长， 半导体激光器元件也变长，因此，存在安装半导体激光器元件的半导体激光器 装置也大型化的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题，目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置确保 散热性的同时，安装谐振器长度长的高输出半导体激光器元件等的长半导体元 件，而且是小型的半导体装置。为实现上述目的，本专利技术的半导体装置由半导体元件和引线框构成，前述 引线框具有安装前述半导体元件的安装部；与前述安装部连接的第l引线；与前述第1引线相邻设置的第2引线；以及夹住前述第1引线并与前述第2引线相邻设置的第3引线，前述第1引线、前述第2引线以及前述第3引线用树脂保持， 前述第2引线的内部引线的长度比前述第3引线的内部引线要长。另外，前述半导体元件的工作时的温度分布不对称，并且以前述半导体元件的高温区域侧为安装前述半导体元件的前述安装部的前述第3引线侧的方式 进行安装。另外，前述半导体元件与前述第l引线、前述第2引线以及前述第3引线通 过导线连接，前述半导体元件与前述第l引线的连接部位于安装前述半导体元 件的前述安装部的前述第3引线侧。另外，在前述安装部的安装前述半导体元件的面的背面侧的前述第2引线 上，设置前述树脂的注入口。另外，前述半导体元件是半导体激光器元件。另外，前述半导体元件是双波长半导体激光器元件，短波长输出为650nm 带的红色波长，长波长输出为800nm带的红外波长，以前述半导体元件的短波 长输出侧为前述安装部的前述第3引线侧的方式安装前述双波长半导体激光器 元件。附图说明图1A是本专利技术的半导体激光器装置的简图。图1B是本专利技术的半导体激光器装置的简图。图1C是本专利技术的半导体激光器装置的简图。图2是表示本专利技术的半导体激光器装置的出射端面的简图。图3A是表示已有的半导体激光器装置的简图。图3B是表示已有的半导体激光器装置的简图。具体实施例方式本专利技术的半导体装置的结构，是在引线框的半导体元件安装部上安装双波 长半导体激光器元件等工作时温度分布为不对称的半导体元件，并用树脂密 封。引线框中设置有与半导体元件安装部连接的第l引线、与第l引线的两侧相 邻且电气独立的第2引线及第3引线，第2引线和第3引线的内部引线彼此长度不 一，所以半导体元件安装部的大小左右不对称。而且，本专利技术的半导体装置以半导体元件的高温区域侧位于内部引线短而半导体元件安装部较大的区域的 方式，在半导体元件安装部安装半导体元件，，并在半导体元件安装部较大的 区域进行半导体元件与第l引线的引线接合。这样，对于安装工作时温度分布不对称的半导体元件的半导体装置，通过 使左右两端的内部引线的长度不对称，使得半导体元件安装部的左右区域为不 同的大小，且以半导体元件的高温区域侧位于安装部的较宽区域的方式安装半 导体元件，并在安装部的较宽区域进行中间部的内部引线的引线接合，从而， 可以提供一种既确保散热性、又安装长半导体元件、且小型的半导体装置。下面，利用附图，对作为本专利技术半导体装置的实施方式的、安装了双波长 半导体激光器元件的半导体激光器装置进行说明。图1A、图1B、图1C是本专利技术的半导体激光器装置的简图，图1A是表面图， 图1B是剖视图，图1C是背面图。图2是表示本专利技术的半导体激光器装置的出射 端面的简图。如图1A、图1B、图1C以及图2所示，在本专利技术的半导体激光器装置中，对 导电性的金属框01利用树脂模铸使树脂02成型，金属框01具有被树脂02包围的 半导体激光器元件03的安装部04，引线05由树脂02内侧的内部引线05a和外侧 的外部引线05b构成。另外，作为引线05具备在中间与金属框01电连接而形 成的成为阴极用端子的引线；以及在其两边与金属框01分离而形成的、用树脂 02将其固定到金属框01上的成为阳极用端子的2根引线。内部引线05a采用以下 结构，即，在左右配置有长短不同的第l内部引线05al和第2内部引线05a2，且 第l内部引线05al比第2内部引线05a2要长。作为金属框Ol、引线05的材料是使用铜，作为树脂材料是使用液晶聚合物 (LCP)。半导体激光器元件03通过底板06安装于安装部04上，半导体激光器元件03 和底板06由焊锡材料07接合，底板06和金属框01的安装部04由导电性材料08接 合。作为底板06的材料是使用氮化铝，作为焊锡材料是使用AuSn焊锡，作为导 电性材料08是使用银胶。半导体激光器元件03具有第l发光点03a和第2发光点03b，第l发光点03a是 800nra带的红外波长侧的发光点，第2发光点03b是650nm带的红色波长侧发光 点。从第l发光点03a出射的第l光轴03c和从第2发光点03b出射的第2光轴03d相 互平行出射。金属框的安装部04相对于前述第l光轴03c、第2光轴03d是左右不对称的形 状，使得作为前述第l发光点03a侧的红外波长侧的面积变小，作为第2发光点 03b侧的红色波长侧的面积变大。由于半导体激光器元件的650nm带的红色波长 侧的材料带隙较窄，在高温工作下会使工作电流增加并使光输出降低，因此， 必须提高散热性。通过将650nm带的红色波长侧配置于前述安装部04的面积较 宽的一侧，通过大面积的金属面可以有效地进行散热，从而可以在更高温下进 行发光的工作。虽然所安装的半导体激光器元件是双波长高输出半导体激光器元件，但是 以发光点外延生长层侧与底板侧接合的方式对半导体基板09进行接合。由于半 导体激光器元件的阴极侧在半导体基板09上是公用的，所以作为阴极用导线IO进行一根导线的引线接合。在金属框01的安装部04中的半导体激光器元件03的安装侧的表面，在前述 安装部较大的区域上接合有半导体激光器元件的阴极线。而且，通过与第2内 部引线05a2的引线接合来进行红色波长侧的阳极连接，通过与第l内部引线 05al的引线接合来进行红外波长侧的阳极连接。通过在安装部04的面积较宽的一侧接合阴极线10，由于在安装具有长谐振 器长度的半导体激光器元件时，不需要在半导体激光器元件的后端侧进行接 合，因此可以抑制半导体激光器装置向谐振器方向的大型化。在半导体激光器装置的背面ll，外部引线05b进行树脂成型，并与安装部 04有高低差。为了在树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，　由半导体元件和引线框构成，　所述引线框具有：　安装所述半导体元件的安装部；　与所述安装部连接的第１引线；　与所述第１引线相邻设置的第２引线；以及　夹着所述第１引线地与所述第２ 引线相邻设置的第３引线，　所述第１引线、所述第２引线以及所述第３引线用树脂保持，　所述第２引线的内部引线的长度比所述第３引线的内部引线要长。

【技术特征摘要】
JP 2008-1-23 2008-012078;JP 2008-8-6 2008-2024851.一种半导体装置，其特征在于，由半导体元件和引线框构成，所述引线框具有安装所述半导体元件的安装部；与所述安装部连接的第1引线；与所述第1引线相邻设置的第2引线；以及夹着所述第1引线地与所述第2引线相邻设置的第3引线，所述第1引线、所述第2引线以及所述第3引线用树脂保持，所述第2引线的内部引线的长度比所述第3引线的内部引线要长。2. 如权利要求l所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体元件的工作时的温度分布是不对称的，以所述半导体元件的高温区域侧为安装所述半导体元件的所述安装部的 所述第3引线侧的方式安装所述半导体元件。3. 如权利要求l所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件和所述第1引线、所述第2引线以及所述第3引线通过导 线连接，所述半导体元件与所述第1引线的连接部位于安装所述半导体元件的所述 安装部的所述第3引线侧。4. 如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件和所述第1引线、所述第2引线以及所述第3引线通过导 线连接，所述半导体元件与所述第1引线的连接部位于安装所述半导体元件的所述 安装部的所述第3引线侧。5. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述安装部的安装所述半导体元件的面的背面侧的所述第2引线上，设 置所述树脂的注入口。6. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件是半导体激光器元件。7. 如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体元件是半导体激光器元件。8. 如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件是半导体激光器元件。9. 如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体元件是半导体激光器元件。10. 如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体元件是半导体激光器元件。11. 如权利要求l所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件是双波长半导体激光器元件，短波长输出为650nm带的红 色波长，长波长输出为800nm带的红外波长，以所述半导体元件的短波长输出 侧为所述安装部的所述第3引线侧的方式安装所述双波长半导体激光器元件。12. 如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件是双波长半导体激光器元件，短波长输出为650nm带的红 色波长，长波长输出为800nm带的红外波长，以所述半导体元件的短波长输出 侧为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：井岛新一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]