资料储存方法及其储存装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种资料储存方法及其储存装置，应用于具有至少一存储区块的一非易失性存储器中，该存储区块包括多个的强页面及多个的弱页面，该方法包括：接收一逻辑区块写入指令，用以将对应的写入资料储存至该存储区块中；判断该写入资料是否超过一页面；当该写入资料超过一页面时，根据该页面的存储容量，将该写入资料分为多个的页面资料；根据该逻辑区块写入指令所对应的一起始写入页面，决定每一页面资料的一第一储存页面；以及将这些页面资料依序写入至这些第一储存页面中，其中，每一第一储存页面为该存储区块的一强页面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于闪存，特别是有关于应用于多电平单元(multi-level cell ,MLC)闪存的资料储存方法。
技术介绍
对非易失性存储器(non-volati 1 e memory)而言，例如反及闸型闪存(NAND flash memory)，因为具备编程(program)时间短、晶圆面积小及低耗电量的 优点，广泛地作为各种多媒体资料的储存媒体，例如安全数字卡(SDcard) 或小型快闪卡(CFcard)。一般而言，与非型闪存可分为单电平单元(single-level cell , SLC)闪存及 多电平单元(multi-level cell , MLC)闪存，其中，每一个单电平单元可储存0 或1两个值，而每一个多电平单元至少可储存00 、 01 、 10或 11四个以上的值，具有较高的储存密度。然而，受限于多电平单元闪存的 架构性因素，相较于单电平单元闪存，多电平单元闪存不仅资料存取速度较慢， 且容易产生资料损毁或遗失的情况。因此，需要一种资料储存方法，用以解决多电平单元闪存的资料遗失问题， 进而有效提升资料储存的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种资料储存方法，应用于具有至少一存储区块的 一非易失性存储器中。于一实施例中，该非易失性存储器为一反及闸型闪存， 而该存储区块为一多电平单元存储区块。该存储区块包括多个的页面，且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面，该方法的步骤包括接收一逻辑区块 写入指令，用以将对应的写入资料储存至该存储区块中；判断该写入资料是否 超过一页面；当该写入资料超过一页面时，根据该页面的存储容量，将该写入资料分为多个的页面资料；根据该逻辑区块写入指令所对应的一起始写入页 面，决定每一页面资料的一第一储存页面；以及将这些页面资料依序写入至这 些第一储存页面中，其中，每一第一储存页面为该存储区块的一强页面。另一方面，本专利技术更提供一种资料储存装置，包括 一非易失性存储器及 一控制器。该非易失性存储器具有至少一存储区块。于一实施例中，该非易失 性存储器为一与非型闪存，而该存储区块为一多电平单元存储区块。该存储区 块包括多个的页面，而这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面。该控制器 耦接于该非易失性存储器，用以接收一主机的一逻辑区块写入指令、判断该逻 辑区块写入指令对应的写入资料是否超过一页面、根据该页面的存储容量将超 过-一页面的该写入资料分为多个的页面资料、根据该逻辑区块写入指令所对应 的一起始写入页面决定每一页面资料的一第一储存页面、以及将这些页面资料 依序写入至这些第一储存页面中，其中，每一第一储存页面为该存储区块的一 强页面。另一方面，本专利技术更提供一种资料储存方法，应用于一非易失性存储器中。 于一实施例中，该非易失性存储器为一与非型闪存，包括至少一存储区块，且 该存储区块包括多个的页面，且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面。 首先，接收一第一写入指令、 一第一起始地址及一写入资料。根据该第一起始 地址及该写入资料的长度，将该写入资料分成多个页面资料，这些页面资料对 应多个第一储存页面。接着将这些第一储存页面转换为多个第二储存页面。之 后，将多个第二写入指令、这些第二储存页面的多个第二起始地址、及这些页 面资料传送至该非易失性存储器中，以进行资料的写入。值得一提的是，这些 第二储存页面皆为强页面。另一方面，本专利技术更提供一种资料储存方法，应用于一非易失性存储器中。 于一实施例中，该非易失性存储器为一与非型闪存，包括至少一存储区块，且 该存储区块包括多个的页面，且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面。 该方法的步骤包括接收一写入指令及一写入资料；将该写入资料分成多个页 面资料；及将这些页面资料，分别写入至该非易失性存储器的该存储区块的这 些强页面。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中图1是显示依据本专利技术实施例的一资料储存装置与一主机； 图2是显示依据本专利技术实施例的具有多个多电平单元存储区块的一存储器架构示意图3是显示依据本专利技术实施例的一对照表；图4是显示依据本专利技术实施例的一资料储存方法流程图5是显示依据本专利技术实施例的另一资料储存方法示意图6是显示依据本专利技术实施例的另一资料储存方法流程图；以及图7是显示依据本专利技术实施例的另一资料储存方法流程图。主要元件符号说明 102 资料储存装置； 104、 501~主机;106、 502 控制器; 503 非易失性存储器； 108、 208 存储器；及 110 对照表。具体实施例方式下文说明本专利技术的较佳实施方式，用以更容易了解本专利技术，并非用以限制 本专利技术。本专利技术的保护范围当视所附的权利要求书所界定的为准。图1是显示依据本专利技术实施例的一资料储存装置102与一主机104。于一 实施例中，该资料储存装置102为一存储卡或一固态硬盘(solid state disk, SSD)，而该主机104，例如 一数字相机或手机，借由通用串行总线(universal serial bus , USB)接口、个人电脑存储卡国际协会(personal computer memory card international association ， PCMCIA)接口、串列式先进附加技术(serial advanced technology attachment , SATA)接口或其它接口，将资料储存至该资8料储存装置102，或自该资料储存装置102读取资料。该资料储存装置102包 括一控制器106及一存储器108。于一实施例中，该存储器108为一非易失存 储器，例如与非型闪存(NAND flash memory)，是包括多个多电平单元存 储区块，如图2所示。图2是显示依据本专利技术实施例的具有多个多电平单元存储区块的一存储器 208架构示意图。于一实施例中，该存储器208包括1024个多电平单元存储区 块(block)。每一存储区块，如存储区块M，包括128个页面(page)。每一 页面，如页面N，具有4个储存段(sector)，例如4N+0、 4N+1、 4N+2及 4N+3。其中M为0到1023的正整数，N为0到63的正整数。于一实施例中， 每一储存段具有512位元(bytes)的存储容量，因此资料能够以储存段为单位 来进行储存操作。对多电平单元存储区块而言，如图2的存储区块M，每一页面区分为强页 面(strong page)及弱页面(weak page)。其中弱页面较容易因为温度、湿度 等环境因素而影响到资料的正确性，相比之下，强页面较稳定，资料错误率较 低。对于重要的资料或档案而言，应避免将资料储存于弱页面中，用以防止资 料错误或遗失的情况。另一方面，所谓强页面，是指该页面被写入资料时的编 程忙碌时间(programbusytime)较短。反之，所谓弱页面，是指该页面被写入资 料时所需的编程忙碌时间较长。一般而言，强页面及弱页面以一既定排列方式交错排列。举例来讲，于存 储区块M中，页面0至页面3为强页面、页面4及5为弱页面、页面6及7 为强页面、页面8及9为弱页面、…、页面12及13为弱页面、…等。再者， 于每一存储区块中，每一强页面对应至一弱页面。参考图2，于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种资料储存方法，应用于具有至少一存储区块的一非易失性存储器中，该存储区块包括多个的页面，且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面，该方法包括：　接收一逻辑区块写入指令，用以将对应的写入资料储存至该存储区块中；　判断该写入资料是 否超过一页面；　当该写入资料超过一页面时，根据该页面的存储容量，将该写入资料分为多个的页面资料；　根据该写入指令所对应的一起始写入页面，决定每一页面资料的一第一储存页面；以及　将这些页面资料依序写入至这些第一储存页面中，　 　其中，每一第一储存页面为该存储区块的一强页面。

【技术特征摘要】
US 2008-7-3 61/077,8841.一种资料储存方法，应用于具有至少一存储区块的一非易失性存储器中，该存储区块包括多个的页面，且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面，该方法包括接收一逻辑区块写入指令，用以将对应的写入资料储存至该存储区块中；判断该写入资料是否超过一页面；当该写入资料超过一页面时，根据该页面的存储容量，将该写入资料分为多个的页面资料；根据该写入指令所对应的一起始写入页面，决定每一页面资料的一第一储存页面；以及将这些页面资料依序写入至这些第一储存页面中，其中，每一第一储存页面为该存储区块的一强页面。2.如权利要求1所述的资料储存方法，其特征在于，于该存储区块中， 这些强页面及这些弱页面以一既定排列方式交错排列，每一弱页面是对应至每 一强页面。3.如权利要求1所述的资料储存方法，其特征在于，每一页面资料的第 一储存页面是根据下式产生<formula>formula see original document page 2</formula>其中，义。腦滅为未转换前的一原始储存页面，且A，恥为转换后的第-储存页面。4.如权利要求1所述的资料储存方法，其特征在于，每一页面资料的第 --储存页面是透过查询一对照表产生，该对照表用以储存未转换前的一原始储 存页面及对应于该原始储存页面的第一储存页面。5. 如权利要求1所述的资料储存方法，其特征在于更包括 当该写入资料不满一页面时，根据该逻辑区块写入指令所对应的该起始写入页面，决定对应于该起始写入页面的一第二储存页面；以及 将该写入资料写入至该第二储存页面中， 其中，该第二储存页面为该存储区块的一强页面。6. —种资料储存装置，包括一非易失性存储器，具有至少一存储区块，该存储区块包括多个的页面， 且这些页面包括多个的强页面及多个的弱页面；及一控制器，耦接于该非易失性存储器，用以接收一主机的一逻辑区块写入 指令、判断该逻辑区块写入指令对应的写入资料是否超过一页面、根据该页面 的存储容量将超过一页面的该写入资料分为多个的页面资料、根据该逻辑区块 写入指令所对应的一起始写入页面决定每一页面资料的一第一储存页面、以及 将这些页面资料依序写入至这些第一储存页面中，其中，每一第一储存页面为该存储区块的一强页面。7. 如权利要求6所述的资料储存装置，其特征在于，于该存储区块中， 这些强页面及这些弱页面以一排列方式交错排列，每一弱页面是...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昆霖，
申请(专利权)人：慧国上海软件科技有限公司，慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]