一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法技术方案

本发明专利技术公开一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法，包括投影组件、监测组件以及数据处理组件；投影组件包括投影仪和一号反射镜，反射镜设置在硅单晶炉的一号观察口上方，投影仪固定在硅单晶炉上方，投影仪的发射口对准反射镜的反射面；监测组件为CCD摄像头和二号反射镜，二号反射镜安装在硅单晶炉的二号观察口上方，CCD摄像头固定在硅单晶炉的上方，CCD摄像头的拍摄口对准二号反射镜的反射面。本发明专利技术的有益效果是：本技术方案在长晶过程中可以实时监控硅溶液高，通过图像分析识别，来确定实施高度并实时调整时硅溶液的实时高度与基准高度一致，无需实时测算实际高度，降低了数据处理中心的运行内存，提高了计算效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法。

技术介绍

1、制造硅单晶主要采用直拉法(czochralski法)，在硅单晶的生长过程中需要将硅单晶的直径自动控制在目标范围内。为了稳定的控制硅单晶的直径和品质，在硅单晶的生长过程中硅熔体的液面在炉体内的相对高度必须保持不变。通常的做法是设置一个坩埚上升速度与硅单晶提拉速度的比率,这个比率叫埚比,埚比使由于硅单晶生长导致的熔体表面位置下降被坩埚位置上升弥补。埚比的作用是基于坩埚无变形、外形一致性很好、硅单晶的直径恒定的假设，实际上硅单晶生长过程中坩埚高温下会变形，硅单晶的直径也是在一定的范围内波动的，导致使用埚比稳定硅单晶生长过程中的硅熔体液面位置时存在精度差的问题，且往往需要人工调整干预。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统及其使用方法，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。

2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统，其特征在于：包括投影组件、监测组件以及数据处理组件；

2.根据权利要求1所述的一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统，其特征在于：所述一号反射镜(110)和二号反射镜(210)的角度可调节。

3.一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统的使用方法，其特征在于：包括如下步骤：

4.根据权利要求1所述的一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统的使用方法，其特征在于：所述收集完数据后，投影组件的一号反射镜(110)、投影仪(100)、二号反射镜(210)和CCD摄像头(200)的位置以及固定角度均固定不变化。

【技术特征摘要】

1.一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统，其特征在于：包括投影组件、监测组件以及数据处理组件；

2.根据权利要求1所述的一种硅单晶炉内硅溶液液面高度监测系统，其特征在于：所述一号反射镜(110)和二号反射镜(210)的角度可调节。

3.一种硅单晶炉内硅溶液液面高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡磊，袁森峰，仝省博，张新峰，
申请(专利权)人：江苏卓远半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：