一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法技术

本申请涉及纳米材料的技术领域，具体公开了一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法。本申请公开的大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，具体步骤为：将载有2H MoTe2连续薄膜的硅片置于电子束蒸镀的腔体内，在高真空下，枪灯丝的电流为0.73‑0.80A，形成电子束；电子束通过‑8.2 kV的电场后被加速，利用磁场的配合精准的聚焦到2H MoTe2表面，将能量传递至2H MoTe2并使其发生向Mo6Te6的大面积转化。本申请通过电子束诱导首次实现了大面积半导体相的MoTe2向Mo6Te6的转变，能保证相变的均匀性，且能实现图案化2H MoTe2/Mo6Te6 NW平面异质结的制备。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及纳米材料的，具体涉及一种大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法。

技术介绍

1、相变是一种重要的材料转变过程，通过相变可以极大地改变材料的电子特性，具体手段包括外部刺激或掺杂引起的原子结构变化。例如，光学dvd和非易失性电子随机存取存储器等存储技术源于ge2sb2te5材料从非晶态到晶态的可逆结构转变，在转变后，ge2sb2te5材料的电阻率降低了三个数量级，光学反射率也得到了提升。原子结构的转变是通过激光或电脉冲触发的一些化学动力学途径发生的。研究可相变的材料需要全面了解转变过程和相变的空间调控。这是阐明材料相变特定应用（例如改善晶体管的电学界面接触和催化剂设计）的先决条件。

2、二维薄层过渡金属硫属化合物（tmdcs）在诸多器件应用中引起了极大的兴趣。特别是，与其他二维材料如mos2、mose2、ws2和wse2¬等的较大带隙（1.5-1.9 ev）相比，过渡金属二碲化物（mote2）因其1.1 ev的窄带隙格外具有吸引力。此外，mote2薄膜更容易发生相转变，同时具备双极性和很大的席贝克系数。单层mote2具有低热导率、不饱和磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述高真空的条件为≤2×10-3Pa。

3.根据权利要求1所述大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述枪灯丝电流为0.73-0.78A。

4.根据权利要求1所述大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述电子束的轰击时间为25-35s。

5.根据权利要求1所述大面积制备Mo6Te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述位于沉积区域外被电子束轰击的样品置于水冷的坩埚中...

【技术特征摘要】

1.一种大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述高真空的条件为≤2×10-3pa。

3.根据权利要求1所述大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述枪灯丝电流为0.73-0.78a。

4.根据权利要求1所述大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述电子束的轰击时间为25-35s。

5.根据权利要求1所述大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述位于沉积区域外被电子束轰击的样品置于水冷的坩埚中；所述坩埚的衬底温度为50-100℃。

6.根据权利要求1所述大面积制备mo6te6纳米线薄膜的方法，其特征在于，所述电子束轰击过程中，采用耐高温绝热材料对2h mot...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世超，
申请(专利权)人：北京北方华创真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：