【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含外延膜的层叠结构体、电子器件、电子设备及它们的制造方法。
技术介绍
1、由具有优异的压电性、铁电性的锆钛酸铅(pb(zr,ti)o3)(以下也称为pzt)制成的薄膜利用其铁电性性，被应用于非易失性存储器(feram)等存储器元件，喷墨头、加速度传感器等mems(micro electro mechanical systems，微机电系统)技术。
2、近年来，研究了沿(100)取向的si基板上隔着沿(200)取向的zro2膜等形成沿(200)取向的pt膜，由此在pt膜上成膜具有良好的压电特性的压电体膜(专利文献1)。但是，在界面的密合性、结晶性方面还不令人满意，期待着能够提高界面的密合性、结晶性，进而能够进一步提高压电体膜的压电特性的对策。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2015-154015号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的目的在于提供包含具有良好的密合性和结晶性的外延膜的层叠结构体、电子器件、电子设备以及能够在工业上有利地得到它们的制造方法。
3、用于解决问题的方案
4、本专利技术人等为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，在晶体基板上层叠包含结晶性化合物的外延层的层叠结构体的制造方法中，通过在上述晶体基板上设置包含化合物元素的化合物元素供给牺牲层的步骤、以及使用上述化合物元素供给牺牲层的化合物元素形成上述外延层的步骤
5、此外，本专利技术人等在得到上述见解后，进一步反复研究，从而完成了本专利技术。
6、即，本专利技术涉及以下的专利技术。
7、[1]一种层叠结构体的制造方法，其特征在于，上述层叠结构体在晶体基板上层叠包含结晶性化合物的外延层，上述层叠结构体的制造方法包括：在上述晶体基板上设置包含氧的化合物元素供给牺牲层的步骤；以及使用上述化合物元素供给牺牲层的化合物元素形成上述外延层的步骤。
8、[2]根据上述[1]所述的制造方法，其中，在使用上述化合物元素后，导入化合物元素气体，在上述化合物元素气体的存在下形成上述外延层。
9、[3]根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，通过蒸镀或溅射进行上述的层叠。
10、[4]根据上述[1]或[2]所述的制造方法，其中，通过蒸镀进行上述的层叠。
11、[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的制造方法，其中，上述化合物元素供给牺牲层为在上述晶体基板上设置的化合物膜。
12、[6]一种层叠结构体，其特征在于，上述层叠结构体在晶体基板上层叠有外延层，上述外延层是将设置在上述晶体基板上的包含化合物元素的化合物元素供给牺牲层中的化合物元素摄入而成的。
13、[7]根据上述[6]所述的层叠结构体，其中，上述晶体基板为结晶性si基板。
14、[8]根据上述[6]或[7]所述的层叠结构体，其中，上述化合物元素供给牺牲层包含化合物膜。
15、[9]根据上述[8]所述的层叠结构体，其中，上述化合物膜的膜厚大于1nm且小于100nm。
16、[10]根据上述[6]～[9]中任一项所述的层叠结构体，其中，上述外延层包含金属。
17、[11]根据上述[10]所述的层叠结构体，其中，上述金属包含元素周期表d区金属。
18、[12]根据上述[6]～[9]中任一项所述的层叠结构体，其中，上述外延层包含金属化合物。
19、[13]根据上述[6]～[9]中任一项所述的层叠结构体，其中，上述外延层包含介电体。
20、[14]根据上述[6]～[13]中任一项所述的层叠结构体，其中，上述层叠结构体进一步在上述外延层上直接或隔着其它层层叠有与上述外延层不同组成的第二外延层。
21、[15]根据上述[14]所述的层叠结构体，其中，上述外延层包含介电体，上述第二外延层包含导电性金属的单晶膜。
22、[16]根据上述[14]或[15]所述的层叠结构体，其中，上述层叠结构体进一步在上述第二外延层上直接或隔着其它层层叠有与上述外延层和上述第二外延层不同组成的第三外延层。
23、[17]根据上述[16]所述的层叠结构体，其中，上述第三外延层包含介电体、半导体或导体。
24、[18]根据上述[16]所述的层叠结构体，其中，上述第三外延层包含介电体。
25、[19]根据上述[16]所述的层叠结构体，其中，上述第三外延层包含压电体。
26、[20]一种压电元件，其特征在于，上述压电元件包含层叠结构体，上述层叠结构体为上述[6]～[19]中任一项所述的层叠结构体。
27、[21]一种压电元件的制造方法，其特征在于，上述压电元件的制造方法使用层叠结构体，上述层叠结构体为上述[6]～[19]中任一项所述的层叠结构体。
28、[22]一种电子器件，其特征在于，上述电子器件包含层叠结构体，上述层叠结构体为上述[1]～[14]中任一项所述的层叠结构体。
29、[23]根据上述[22]所述的电子器件，其中，上述电子器件为压电器件。
30、[24]一种电子器件的制造方法，其特征在于，上述电子器件的制造方法使用层叠结构体制造电子器件，上述层叠结构体为上述[6]～[19]中任一项所述的层叠结构体。
31、[25]一种电子设备，其特征在于，上述电子设备包含电子器件，上述电子器件为上述[22]或[23]所述的电子器件。
32、[26]一种电子设备的制造方法，其特征在于，上述电子设备的制造方法使用层叠结构体或电子器件制造电子设备，上述层叠结构体为上述[6]～[19]中任一项所述的层叠结构体，上述电子器件为上述[22]或[23]所述的电子器件。
33、[27]一种系统，其特征在于，上述系统包含电子设备，上述电子设备为上述[25]所述的电子设备。
34、[28]一种层叠结构体，其特征在于，上述层叠结构体在晶体基板上层叠有外延层，在上述晶体基板与上述外延层之间具有：包含上述外延层和/或上述晶体基板的构成金属的非晶薄膜；和/或在上述晶体基板的一部分嵌入一层或两层以上且包含上述构成金属的埋层。
35、[29]根据上述[28]所述的层叠结构体，其中，在上述晶体基板与上述外延层之间具有：包含上述外延层的构成金属的非晶薄膜；和/或在上述晶体基板的一部分嵌入一层或两层以上且包含上述外延层的构成金属的埋层。
36、[30]根据上述[28]所述的层叠结构体，其中，在上述晶体基板与上述外延层之间具有：包含上述外延层和/或上述晶体基板的构成金属的非晶薄膜；以及在上述晶体基板的一部分嵌入一层或两层以上且包含上述构本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种层叠结构体的制造方法，其特征在于，所述层叠结构体在晶体基板上层叠包含结晶性化合物的外延层，
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在使用所述化合物元素后，导入化合物元素气体，在所述化合物元素气体的存在下形成所述外延层。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，通过蒸镀或溅射进行所述层叠。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，通过蒸镀进行所述层叠。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，所述化合物元素供给牺牲层是在所述晶体基板上设置的化合物膜。
6.一种层叠结构体，其特征在于，所述层叠结构体在晶体基板上层叠有外延层，
7.根据权利要求6所述的层叠结构体，其中，所述晶体基板为结晶性Si基板。
8.根据权利要求6或7所述的层叠结构体，其中，所述化合物元素供给牺牲层包含化合物膜。
9.根据权利要求8所述的层叠结构体，其中，所述化合物膜的膜厚大于1nm且小于100nm。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的层叠结构体，其中，所述外延层包含金属。<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种层叠结构体的制造方法，其特征在于，所述层叠结构体在晶体基板上层叠包含结晶性化合物的外延层，
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在使用所述化合物元素后，导入化合物元素气体，在所述化合物元素气体的存在下形成所述外延层。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，通过蒸镀或溅射进行所述层叠。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，通过蒸镀进行所述层叠。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，所述化合物元素供给牺牲层是在所述晶体基板上设置的化合物膜。
6.一种层叠结构体，其特征在于，所述层叠结构体在晶体基板上层叠有外延层，
7.根据权利要求6所述的层叠结构体，其中，所述晶体基板为结晶性si基板。
8.根据权利要求6或7所述的层叠结构体，其中，所述化合物元素供给牺牲层包含化合物膜。
9.根据权利要求8所述的层叠结构体，其中，所述化合物膜的膜厚大于1nm且小于100nm。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的层叠结构体，其中，所述外延层包含金属。
11.根据权利要求10所述的层叠结构体，其中，所述金属包含元素周期表d区金属。
12.根据权利要求6～9中任一项所述的层叠结构体，其中，所述外延层包含金属化合物。
13.根据权利要求6～9中任一项所述的层叠结构体，其中，所述外延层包含介电体。
14.根据权利要求6～13中任一项所述的层叠结构体，其中，所述层叠结构体进一步在所述外延层上直接或隔着其它层层叠有与所述外延层不同组成的第二外延层。
15.根据权利要求14所述的层叠结构体，其中，所述外延层包含介电体，所述第二外延层包含导电性金属的单晶膜。
16.根据权利要求14或15所述的层叠结构体，其中，所述层叠结构体进一步在所述第二外延层上直接或隔着其它层层叠有与所述外延层和所述第二外延层不同组成的第三外延层。
17.根据权利要求16所述的层叠结构体，其中，所述第三外延层包含介电体、半导体或导体。
18.根据权利要求16所述的层叠结构体，其中，所述第三外延层包含介电体。
19.根据权利要求16所述的层叠结构体，其中，所述第三外延层包含压电体。
20.一种压电元件，其特征在于，所述压电元件包...
【专利技术属性】
技术研发人员：木岛健，
申请(专利权)人：盖亚尼克斯股份有限公司，
类型：发明
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