在基材上负载的具有可变厚度的均一b-取向的MFI沸石膜及其制造方法技术

提供具有可变厚度的ｂ－取向ＭＦＩ沸石膜。ＭＦＩ沸石膜由其ｂ－轴全部均一地垂直于基材取向的沸石晶体组成。还提供制备所述ＭＦＩ沸石膜的方法。所述方法包括：在基材上形成具有不同厚度的沸石或沸石类分子筛晶种，并且将接种后的基材加入用于合成ＭＦＩ沸石的包含结构导向剂的凝胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。ＭＦＩ沸石膜克服现有技术沸石膜的局限以最大化其可应用性。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及制备MFI沸石膜的方法、控制由沸石晶体组成的MFI沸石 膜厚度的方法，所述沸石晶体的b-轴全部垂直于基材取向；还涉及具有可 变厚度的由沸石晶体组成的MFI膜，所述沸石晶体的b-轴全部垂直于基 材取向。
技术介绍
沸石是结晶铝硅酸盐系列的通名。由于在铝硅酸盐骨架中铝周围的位 点带有负电荷，所以在铝硅酸盐骨架的孔内部存在用于平衡负电荷的阳离 子并且孔的其余空间通常填充有水分子。沸石的三维的孔结构、形状和尺寸取决于沸石类型，并且孔直径通常取决于分子;d。因此，根据沸石类 型，沸石对于进入孔的分子具有尺寸选择性或形状选择性，因此沸石也称 为分子筛。另一方面，其中构成沸石骨架结构的硅(Si)和铝(ai)原子被各种其它的元素部分或全部取代的许多沸石类分子筛是已知的。已知沸石类分子筛的例子包括无铝的多孔珪沸石基分子筛(silicalite-based molecular sieves)、其中硅被磷(P)取代的AlP(Xr基分子筛、以及其中骨架组成元 素被各种金属原子诸如Ti、 Mn、 Co、 Fe和Zn部分取代的其它的分子筛。 这些沸石类分子筛是源于沸石的材料，而不属于基于矿物学分类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备ｂ－取向ＭＦＩ沸石膜的方法，所述方法包括：　（ａ）在基材上形成或附着沸石或沸石类分子筛晶种，和　（ｂ）将接种后的基材加入用于合成ＭＦＩ沸石的包含结构导向剂的凝胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。

【技术特征摘要】
KR 2008-5-21 10-2008-00468671.一种制备b-取向MFI沸石膜的方法，所述方法包括(a)在基材上形成或附着沸石或沸石类分子筛晶种，和(b)将接种后的基材加入用于合成MFI沸石的包含结构导向剂的凝胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。2. —种控制b-取向MFI沸石膜的厚度的方法，所述方法包括(a)在基材上形成具有不同厚度的沸石或沸石类分子筛晶种，和(b )将接种后的基材加入用于合成MFI沸石的包含结构导向剂的凝 胶中，以在其上生长沸石或沸石类分子筛晶体。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤(a)中不用所述晶种来 处理所述基材。4. 根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤(a)中将所述沸石或沸 石类分子筛晶种在b-轴方向上附着。5. 根据权利要求1或2所述的方法，其中所述沸石或沸石类分子筛选自 ZSM-5、硅沸石、TS-1、 AZ-1、 Bor-C、硼珪沸石C、高珪沸石、FZ-l、 LZ-105、单斜晶H画ZSM-5、穆丁钠石、NU-4、 NU-5、 TSZ、 TSZ画III、 TZ誦Ol、 USC-4、 USI國108、 ZBH和ZKQ-IB。6. 根据权利要求1或2所述的方法，其中所逸基材是i)包含至少一种金 属或非金属元素并且在其表面上具有至少一个羟基的氧化物，ii)结合至 少一个疏醇(-SH)和/或胺(-NH2)基团的金属或金属合金，iii)在其表 面上具有官能团的聚合物，iv)半导体化合物，v)沸石或沸石类分子筛， 或vi)具有表面羟基或能够改性以具有表面羟基的天然、合成或导电聚合 物。7. 根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤(a)中对所述沸石或沸 石类分子筛晶种施加物理力以贴靠所述基材从而在其间产生化学键。8. 根据权利要求7所述的方法，其中通it^擦或挤压所述分子筛晶体贴 靠所述基材以施加所述物理力。9. 根据权利要求1或2所述的方法，其中通过10 kHz至100 MHz的超 声将所述沸石或沸石类分子筛晶种附着于所逸基材。10. 根据权利要求7所述的方法，其中通过连接化合物将所i^材结合于所述沸石或沸石类分子筛晶种。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述连接化合物选自由式1至11 表示的化合物Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹景炳，金铉成，帕姆卡欧坦桐，
申请(专利权)人：西江大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]