【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、沟槽栅型mosfet是一种基于碳化硅（silicon carbide，sic）等材料的金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet）。沟槽栅型mosfet通过在半导体衬底的外延层深槽刻蚀工艺形成栅区，在沟槽侧壁形成沟道。沟槽栅型mosfet的元胞密度高于平面栅型sic mosfet，同时沟槽栅型mosfet的沟道电阻更小，因此，沟槽栅型mosfet可以实现更优的导通特性。
2、离子注入工艺是制作沟槽栅型mosfet的关键工艺。为了减小栅沟槽底部拐角处的电场集中，需用离子注入的方法在碳化硅沟槽内形成掺杂区，用以保护栅极氧化层的电场，进而提高器件的耐压特性。但是，由于其沟槽的深宽比较高，在沟槽侧壁进行离子注入的难度较大，因此常规技术中，只在沟槽底部进行离子注入，但是这不利于提高沟槽栅型mosfet的性能。
技术实现思路>
1、基于此，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述将所述半导体衬底偏转预设角度，以使所述半导体衬底倾斜，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述偏转所述半导体衬底，以使所述半导体衬底的表面与预设面具有预设角度，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述沿不同方向多次偏转所述半导体衬底，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对偏转后的所述半导体衬底的所述沟槽的侧壁进行离子注
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述将所述半导体衬底偏转预设角度，以使所述半导体衬底倾斜，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述偏转所述半导体衬底，以使所述半导体衬底的表面与预设面具有预设角度，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述沿不同方向多次偏转所述半导体衬底，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对偏转后的所述半导体衬底的所述沟槽的侧壁进行离子注入的同时，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉华，吴剑波，李杰，冷国庆，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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