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本公开涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有沟槽，沟槽自半导体衬底顶面延伸至半导体衬底内部；将半导体衬底偏转预设角度，以使半导体衬底倾斜；对偏转后的半导体衬底的沟...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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