【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体黄光湿法工艺领域，具体涉及一种基于干膜图形化的剥离工艺。
技术介绍
1、目前半导体行业在快速发展，市场对于半导体器件的需求也越来越大，半导体的形式也越来越多样化。其中一部分部件就涉及到在基板上涂覆有机胶后进行图形化加工的半导体器件。常规基板或者半导体器件上图形化加工通过沉积→旋涂有机胶→曝光→显影→刻蚀→去胶的方式来做相关膜层图形化。其中有机胶的涂覆是通过液态有机胶通过旋涂的方式涂覆到基板表面，基板旋转产生的离心力让液态胶平铺到基板表面在这个过程中导致大量的胶被甩出浪费的问题，其次刻蚀的后去胶一般为干法刻蚀去胶成本较大。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种基于干膜图形化的剥离工艺，将固态的有机胶贴附到基板表面，并在刻蚀后使用化学药液浸泡的方式去胶，减少了有机胶的浪费，改变了常规的干膜去胶方式。本申请工艺的刻蚀工艺是用于处理基板上沉积的膜层，最终的干膜去除采用的是湿法去胶的工艺。
2、为实现上述目的，本专利技术一种基于干膜图形化的剥离工艺，其包括以下步骤，
3、(1)在基板上沉积微米级膜层；
4、(2)烘烤步骤(1)中所得的基板，并将干膜贴附于基板的膜层表面，继续烘烤；
5、(3)加入掩膜版，通过曝光步骤将干膜进行图形化加工，再将显影液流入干膜表面；
6、(4)进行干法刻蚀；
7、(5)使用去胶液去除多余膜层，得到图形化产品。
8、优选的，步骤(1)
9、优选的，干膜为固态光刻胶。
10、优选的，步骤(2)中，加热后进行贴附干膜时要求基板的温度为60-80℃，烘烤时加热温度要求在80-100摄氏度之间。
11、优选的，显影液为碳酸钠溶液。
12、优选的，去胶液为nmp去胶液。
13、本专利技术还提供上述方法得到的膜层。
14、本专利技术的有益效果如下：
15、本专利技术工艺实现了贴附式覆胶工艺代替常规旋转涂胶工艺减少原料浪费，使用特殊去胶液浸泡去胶的方式代替干法去胶降低去胶成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：步骤(1)中膜层材质选自氧化物，氮化物，金属的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：干膜为固态光刻胶。
4.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：步骤(2)中，加热后进行贴附干膜时要求基板的温度为60-80℃，烘烤时加热温度要求在80-100℃之间。
5.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：显影液为碳酸钠溶液。
6.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：去胶液为NMP去胶液。
7.权利要求1-6任一项所述的方法得到的膜层。
【技术特征摘要】
1.一种基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：步骤(1)中膜层材质选自氧化物，氮化物，金属的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于：干膜为固态光刻胶。
4.根据权利要求1所述的基于干膜图形化的剥离方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁珈祺，陈银培，陶保金，
申请(专利权)人：杭州美迪凯光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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