半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。在ｎ型的半导体衬底（１）的一个主表面的一侧，形成有ｐ型扩散区域（３）作为二极管的阳极（２）。以包围该阳极（２）的方式，形成有由ｐ型扩散区域（５）构成的保护环（６）。在另一主表面的一侧形成有ｎ型超高浓度杂质层（１２）和ｎ型高浓度杂质层（１１）作为阴极。在阴极的与保护环（６）对置的保护环对置区域（１５）形成有阴极侧ｐ型扩散区域（１４）。由此，电流在阳极的外周端部集中被抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别是，涉及具备二极管的电力(electric power)用的高耐压的半导体装置。
技术介绍
近年来，反相器装置被使用在产业用电力装置等领域。通常，将商 用电源(交流电源)使用于反相器装置。因此，反相器装置由以下部分 构成将交流电源一次变换(正变换)为直流的变换器部分；平滑电路 部分；将直流电压变换(反变换)为交流的反相器部分。作为反相器部 分的主要的功率元件，主要应用能够比较高速地进行开关工作的绝缘栅 型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,以下记作IGBT)。反相器装置的负载为感应电动机(感应性负载的马达)的情况较多。 该感应性负载被连接在上臂元件和下臂元件的中间电位点，在感应性负 载内流过的电流的方向为正和负两个方向。因此，将在感应性负载内流 过的电流从负载连接端向高电位的电源侧返回，或者从负载连接端流向 接地侧，因此需要用于使该电流在感应性负载和臂元件的闭合电路间进 行回流的续流二极管。在反相器装置中，通常使IGBT作为开关进行工作，重复截止状态 和导通状态，从而控制电力能量。在感应性负载的反相器电路的开关中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备二极管的半导体装置，具备：　第一导电型的半导体衬底，具有彼此对置的第一主表面以及第二主表面；　第二导电型的阳极，形成在所述半导体衬底的所述第一主表面侧；　保护环，以与所述阳极隔开距离并且包围所述阳极的方式形成；　 　第一导电型的阴极，形成在所述半导体衬底的所述第二主表面侧；　第二导电型的阴极侧杂质区域，形成在与所述阴极的所述保护环对置的区域。

【技术特征摘要】
JP 2008-5-23 2008-1358511.一种具备二极管的半导体装置，具备第一导电型的半导体衬底，具有彼此对置的第一主表面以及第二主表面；第二导电型的阳极，形成在所述半导体衬底的所述第一主表面侧；保护环，以与所述阳极隔开距离并且包围所述阳极的方式形成；第一导电型的阴极，形成在所述半导体衬底的所述第二主表面侧；第二导电型的阴极侧杂质区域，形成在与所述阴极的所述保护环对置的区域。2. 如权利要求1的半导体装置，其中，所述阴极侧杂质区域以具有预定的占有面积和预定的深度的方式形成。3. 如权利要求1的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉浦康博，井上雅规，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]