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本发明提供一种半导体装置。在ｎ型的半导体衬底（１）的一个主表面的一侧，形成有ｐ型扩散区域（３）作为二极管的阳极（２）。以包围该阳极（２）的方式，形成有由ｐ型扩散区域（５）构成的保护环（６）。在另一主表面的一侧形成有ｎ型超高浓度杂质层（１２）...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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