可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构制造技术

一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，涉及高频线圈技术领域；所述的高频线圈结构包括用于电流（２）导流的中部分流槽，内孔（８）呈四方形排列在高频线圈（３）的中部，在电流输送暨冷却水输送铜管Ａ（１１）及电流输送暨冷却水输送铜管Ｂ（１２）一侧的斜开口（１３）连接任一内孔（８），连接斜开口（１３）的内孔（８）与另一个对角内孔（８）之间设有分流槽（１７）；本发明专利技术通过在斜开口垂直方向的两个内孔之间设置分流槽，也可在上述基础之上给上下两个内孔添加杠铃形分流槽，由于添加了分流槽或杠铃形分流槽，使电流运行时绕不开左右两个内孔，实现了电流在四个内孔周围均匀分布的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高频线圈
，尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔 周围，通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀，并可同时生产四根硅芯及其 它晶体材料的新型高频线圈结构。
技术介绍
目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体 区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理如 下工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行 感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶插入熔化区，慢慢 提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新 的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。本人通过多次实验发现，由于布局不合理；如本人在先申请的两项实用新 型专利；其中专利l:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频 线圈；申请日、2007年1月19日；授权公告号、CN201001209Y;其中专利2:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年2月13日；授权公告号、CN201024228Y;通过这两年的使用，在内孔周围的电流运行达不到预期的目的，如上述两 项专利申请文件图中所示的结构，电流在环绕各个内孔运行时，会出现中部内 孔的电流运行较多，另外三个内孔的环绕电流受到高频电流运行原理的影响，使得中部内孔的温度远高于两侧下部内孔及上部内孔(也就是电流走近路)由 于电流的走近路现象，所产生的后果是提升起来的仔晶直径悬殊非常大，从而 造成残次品数量的增加。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中的不足，本专利技术公开了一种可同时生产四根硅芯及其 它晶体材料的高频线圈结构，本专利技术通过在斜开口垂直方向的两个内孔之间设 置分流槽，也可在上述基础之上给上下两个内孔添加杠铃形分流槽，由于添加 了分流槽或杠铃形分流槽，使电流运行时绕不开左右两个内孔，实现了电流在 四个内孔周围均匀分布的目的。为了实现上述专利技术的目的，本专利技术采用如下技术方案一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线 圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨 冷却水输送铜管B,高频线圈的高频线圈上面呈向中心位置内陷的斜面，高频 线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道环埋在高频线圈的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流导流的中部分流槽，内孔呈四方形排 列在高频线圈的中部，在电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输 送铜管B—侧的斜开口连接任一内孔，连接斜开口的内孔与另一个对角内孔之 间设有分流槽。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的连接 斜开口的内孔与另一个对角内孔之间设有的分流槽可设置为中部添加中部加 小孔分流槽。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的连接 斜开口的内孔两侧开口可设置为杠铃形分流槽。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的在电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B —侧内孔的另一个 对角内孔两侧开口可设置为杠铃形分流槽。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的杠铃 形分流槽为两端呈圆形，连接开口为直线形。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B —侧内孔、内孔与另一对角内孔、内孔两侧开口的杠铃形分流槽或中部加小孔分流槽可单独设置， 也可部分设置或全部设置。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔 可设置为圆形内孔、方形内孔、方形内角倒圆内孔、长方形内孔、长方形内角 倒圆内孔、三角形内孔、三角形内角倒圆内孔、多边形内孔、不规则多边形内 孔、菱形内孔、菱形内角倒圆内孔、梯形内孔、梯形内角倒圆内孔、长圆形内 孔或椭圆形内孔。. .所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的杠铃 形分流槽两端可设为圆形、方形、方形内角倒圆、长方形、长方形内角倒圆、 三角形、三角形内角倒圆、多边形、不规则多边形、菱形、菱形内角倒圆、梯 形、梯形内角倒圆、长圆形或椭圆形。所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的中部 加小孔分流槽其中部的小孔可设为圆形、方形、方形内角倒圆、长方形、长方 形内角倒圆、三角形、三角形内角倒圆、多边形、不规则多边形、菱形、菱形 内角倒圆、梯形、梯形内角倒圆、长圆形或椭圆形。由于采用上述技术方案，本专利技术具有如下优越性本专利技术通过在斜开口垂直方向的两个内孔之间设置分流槽，也可在上述基 础之上给上下两个内孔添加杠铃形分流槽，由于添加了斜开口或杠铃形分流 槽，使电流运行时绕不开左右两个内孔和带开口部位对应的内孔，通过实验及测试，证明了本专利技术改进后电流可以均匀的环绕各个内孔运行，每个内孔的加 热温度基本相同，实现了电流在四个内孔周围均匀分布的目的，提高能量利用 率，降低生产成本和减少次品率；本专利技术且具有加热均匀、大量节约能源、减 少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。附图说明图l是本专利技术的电流分配图。图2是本专利技术的平面结构示意图。图3是图2的A-A示图。图4是本专利技术的另一个实施例平面结构示意图。图5是图4的B-B示图。图6是本专利技术的另一个实施例电流分配图。图7是本专利技术的原理示意图。在图中1、原料棒；2、磁力线；3、高频线圈；4、冷却水道；5、硅芯； 6、仔晶；7、仔晶夹头；8、内孔；9 、高频线圈上面；1 0 、高频线圈下面； 11、电流输送暨冷却水输送铜管A; 12、电流输送暨冷却水输送铜管B; 13、 斜开口； 14、杠铃形分流槽；15、中部加小孔分流槽；16、内陷台阶；17、分 流槽；18、电流。具体实施例方式参考下面的实施例，可以更详细地解释本专利技术；但是，本专利技术并不局限于 这些实施例。在图1、 2、 3中； 一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管All及电流输送暨冷却水输送铜管B12，高频线圈的高频线圈上面9呈向中心 位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却 水道4环埋在高频线圈3的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流2导流的 中部分流槽，内孔8呈四方形排列在高频线圈3的中部，在电流输送暨冷却水 输送铜管All及电流输送暨冷却水输送铜管B12 —侧的斜开口 13连接任一内 孔8，连接斜开口 13的内孔8与另一个对角内孔8之间设有分流槽17。在图4、 5、 6、 7中；所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频 线圈结构，所述的连接斜开口 13的内孔8与另一个对角内孔8之间设有的分 流槽17可设置为中部添加中部加小孔分流槽15;所述的连接斜开口 13的内 孔8两侧开口可设置为杠铃形分流槽14;所述的在电流输送暨冷却水输送铜 管All及电流输送暨冷却水输送铜管B12 —侧内孔8的另一个对角内孔8两侧 开口可设置为杠铃形分流槽14;所述的杠铃形分流槽14为两端呈圆形，连接 开口为直线形；所述的电流输送暨冷却水输送铜管All及电流输送暨冷却水输 送铜管B12—侧内孔8、内孔8与另一对角内孔8、内孔8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管Ａ（１１）及电流输送暨冷却水输送铜管Ｂ（１２），高频线圈的高频线圈上面（９）呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道（４）环埋在高频线圈（３）的外部；其特征在于：所述的高频线圈结构包括用于电流（２）导流的中部分流槽，内孔（８）呈四方形排列在高频线圈（３）的中部，在电流输送暨冷却水输送铜管Ａ（１１）及电流输送暨冷却水输送铜管Ｂ（１２）一侧的斜开口（１３）连接任一内孔（８），连接斜开口（１３）的内孔（８）与另一个对角内孔（８）之间设有分流槽（１７）。

【技术特征摘要】
1、一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)，高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部；其特征在于所述的高频线圈结构包括用于电流(2)导流的中部分流槽，内孔(8)呈四方形排列在高频线圈(3)的中部，在电流输送暨 冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接任一内孔(8)，连接斜开口(13)的内孔(8)与另一个对角内孔(8)之间设有分流槽(17)。2、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构，其特征在于所述的连接斜开口 (13)的内孔(8)与另一个对角内孔(8) 之间设有的分流槽(17)可设置为中部添加中部加小孔分流槽(15)。3、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构，其特征在于所述的连接斜开口 (13)的内孔(8)两侧开口可设置为杠铃 形分流槽(14)。4、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构，其特征在于所述的在电流输送暨冷却水输送铜管A (11)及电流输送暨 冷却水输送铜管B (12) —侧内孔(8)的另一个对角内孔(8)两侧开口可设 置为杠铃形分流槽(14)。5、 如权利要求l、 3或4所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高 频线圈结构，其特征在于所述的杠铃形分流槽(14)为两端呈圆形，连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝轩，
申请(专利权)人：刘朝轩，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]