【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高频线圈
,尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔 周围,通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀,并可同时生产四根硅芯及其 它晶体材料的新型高频线圈结构。
技术介绍
目前,硅芯在国内使用量非常巨大;现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体 区熔方式生产的工艺过程中,大多使用的是一种单目高频线圈,其工作原理如 下工作时通过给高频线圈通入高频电流,使高频线圈产生电流对原料棒进行 感应加热,加热后的原料棒上端头形成融化区,然后将仔晶插入熔化区,慢慢 提升仔晶,熔化后的原料就会跟随仔晶上升,形成一个新的柱形晶体,这个新 的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。本人通过多次实验发现,由于布局不合理;如本人在先申请的两项实用新 型专利;其中专利l:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频 线圈;申请日、2007年1月19日;授权公告号、CN201001209Y;其中专利2:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈;申请日、2007年2月13日;授权公告号、CN201024228Y;通过这两年的使用,在内孔周围的电流运行达不到预期的目 ...
【技术保护点】
一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构,所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12),高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面,高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形,冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部;其特征在于:所述的高频线圈结构包括用于电流(2)导流的中部分流槽,内孔(8)呈四方形排列在高频线圈(3)的中部,在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接任一内孔(8),连接斜开口(13)的内孔(8)与另一个对角内孔(8 ...
【技术特征摘要】
1、一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构,所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12),高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面,高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形,冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部;其特征在于所述的高频线圈结构包括用于电流(2)导流的中部分流槽,内孔(8)呈四方形排列在高频线圈(3)的中部,在电流输送暨 冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接任一内孔(8),连接斜开口(13)的内孔(8)与另一个对角内孔(8)之间设有分流槽(17)。2、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构,其特征在于所述的连接斜开口 (13)的内孔(8)与另一个对角内孔(8) 之间设有的分流槽(17)可设置为中部添加中部加小孔分流槽(15)。3、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构,其特征在于所述的连接斜开口 (13)的内孔(8)两侧开口可设置为杠铃 形分流槽(14)。4、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结 构,其特征在于所述的在电流输送暨冷却水输送铜管A (11)及电流输送暨 冷却水输送铜管B (12) —侧内孔(8)的另一个对角内孔(8)两侧开口可设 置为杠铃形分流槽(14)。5、 如权利要求l、 3或4所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高 频线圈结构,其特征在于所述的杠铃形分流槽(14)为两端呈圆形,连...
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