【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器，尤其涉及一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料及其制备方法。
技术介绍
1、量子点激光器由于具有高温度稳定性，高调制速率和窄线宽等优良特性，成为目前研究的热点，而in(ga)as/gaas自组织量子点体系更因具有很宽的能带调节范围，其发光可覆盖1.3μm和1.55μm这两个重要的通讯波段，受到广泛研究。目前，高性能1.3μm inas/gaas量子点激光器已经有很大进展，但获得高质量1.55μm发光的inas/gaas量子点材料还比较困难。
2、为了获得较长波长的inas/gaas量子点发光，通常的做法有：生长体积较大的inas/gaas量子点，低温生长inas量子点，在异变缓冲层上生长量子点，以及在量子点上覆盖ingaas或gaassb应变减少层等。现有提出利用gasb/inas/gaas异质结量子点，即生长inas量子点后，再淀积一定量的gasb，由于gasb和inas的晶体结构及晶格常数相近，因而后淀积的gasb更容易覆盖在inas点上而不是另外成gasb点。
3、综上所述，提出一种便于制备的gaas基锑化物gasb量子点外延材料及其制备方法是十分有必要的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料及其制备方法，获得便于制备的效果。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料，包括gaas衬底、gaas缓冲层、inas淀积层、gas
3、其中，所述gaas缓冲层的厚度为150nm。
4、其中，所述inas淀积层的厚度为2.4ml。
5、其中，所述inas淀积层的生长速度为0.09ml/s。
6、其中，所述gasb淀积层的厚度为3.0ml。
7、其中，所述gasb淀积层的生长速度为0.3ml/s。
8、本专利技术还提供一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料制备方法，包括如下步骤：
9、设置所述gaas衬底转速为20rpm，加热所述gaas衬底；
10、在所述gaas衬底脱氧后，在580℃温度下生长所述gaas缓冲层；
11、降温至500℃生长量子点；其中量子点结构为：在所述inas淀积层上淀积所述gasb淀积层；
12、生长所述gaas盖层。
13、本专利技术的一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料及其制备方法，通过设置所述gaas衬底转速为20rpm，加热所述gaas衬底；在所述gaas衬底脱氧后，在580℃温度下生长所述gaas缓冲层；降温至500℃生长量子点；其中量子点结构为：在所述inas淀积层上淀积所述gasb淀积层，所述inas淀积层和所述gasb淀积层构成inas/gasb量子点；量子点上生长所述gaas盖层，所述gasb淀积层覆盖在所述inas淀积层上形成inas/gasb异质结量子点，电子和空穴将实现空间上分离，电子被限制在inas层，而空穴在gasb层，量子点因而具有type-ii型的间接跃迁发光，通过调节inas、gasb层厚度就可以得到不同的导带与价带带隙，即获得需要的发光波长；获得便于制备的效果。
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2.如权利要求1所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，
3.如权利要求1所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，
4.如权利要求3所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，
5.如权利要求1所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，
6.如权利要求5所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，
7.一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料制备方法，制备如权利要求1所述的GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，包括如下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种gaas基锑化物gasb量子点外延材料，其特征在于，
2.如权利要求1所述的gaas基锑化物gasb量子点外延材料，其特征在于，
3.如权利要求1所述的gaas基锑化物gasb量子点外延材料，其特征在于，
4.如权利要求3所述的gaas基锑化物gasb量子点外延材料，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜威，刘冰，刘娟，袁昌峰，
申请(专利权)人：南京国科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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