一种具有低密度特性的InAs量子材料制造技术

本技术涉及量子材料制备技术领域，具体涉及一种具有低密度特性的InAs量子材料；包括GaAs缓冲层、InAs牺牲层、GaAs生长层、第一生长耦合量子点种子层、GaAs间隔层、第二生长耦合点量子点种子层和GaAs覆盖层，GaAs缓冲层的上表面依次生长有InAs牺牲层和GaAs生长层，GaAs生长层上生长有第一生长耦合量子点种子层，第一生长耦合量子点种子层的上表面生长有GaAs间隔层，GaAs间隔层上生长有第二生长耦合点量子点种子层，第二生长耦合量子点种子层的上表面生长有GaAs覆盖层，通过上述结构，实现便于生产，能够获得低密度可控耦合量子点，该InAs量子材料具有单量子点发光特征。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及量子材料制备，尤其涉及一种具有低密度特性的inas量子材料。

技术介绍

1、目前在低密度inas量子点的生长中，通过(一)电子束曝光和刻蚀技术，在衬底上刻蚀图形作为量子点的成核位置，控制量子点的生长位置和密度，但图形衬底由于缺陷和杂质的引入，很难生长光学质量很好的量子点，同时对工艺处理的精度和洁净度要求非常高；(二)梯度生长方法由于梯度分布，在一片晶圆上沿梯度方向很容易找到一块合适的区域，低密度量子点生长的成功率非常高，但生长的量子点利用率不高，一个晶圆上只有很小的一块区域的密度比较合适；(三)液滴外延辅助生长方法生长的量子点线宽很宽，很难制作单光子源；(四)临界成岛方法，由于淀积量较小，只适合于短波长的量子点生长，与发射波长在1μm以下的inas/gaas量子点单光子源相比，发射波长在1.3μm的单光子源与光信号传输区间匹配，更有实用性，但是由于长波长ingaas探测器灵敏度低，实验用单光子源主要集中在1μm以下，很少有低密度的长波长耦合量子点的研究。

2、综上所述，提出一种便于生长的具有低密度特性的inas量子材料是十分有必要的。本文档来自技高网...

【技术保护点】

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【技术特征摘要】

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3.如权利要求1所述的具有低密度特性的inas量子材料，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨婷，刘冰，刘娟，袁昌峰，
申请(专利权)人：南京国科半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：