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本技术涉及量子材料制备技术领域，具体涉及一种具有低密度特性的InAs量子材料；包括GaAs缓冲层、InAs牺牲层、GaAs生长层、第一生长耦合量子点种子层、GaAs间隔层、第二生长耦合点量子点种子层和GaAs覆盖层，GaAs缓冲层的上表面依...
该专利属于南京国科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国科半导体有限公司授权不得商用。

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