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本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料及其制备方法；包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InAs/GaSb量子点和GaAs盖层，GaAs衬底的上表面生长有GaAs缓冲层，GaAs缓冲层的上表面生长有I...
该专利属于南京国科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国科半导体有限公司授权不得商用。

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