【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，并且具体地，涉及一种包括电容器电极的半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、由于半导体器件的小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体器件在电子行业中无处不在。半导体器件可以被分类为用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件、以及包括存储器和逻辑元件两者的混合半导体器件。
2、随着电子设备的高速度和低功耗的近来趋势，电子设备中的半导体器件可以具有高操作速度和/或低操作电压，并且为了满足这些特性，期望增加半导体器件的集成度。然而，随着半导体器件的集成度增加，半导体器件的电特性和生产良品率可能降低。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种具有改善的电特性和可靠性特性的半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。
2、根据本公开的实施例，一种半导体器件可以包括：外围电路结构；源极结构，在外围电路结构上；第一电容器电极，在外围电路结构上；电极绝缘层，至少部分地围绕第一电容器电极；栅极堆叠，在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电容器电极至少部分地围绕所述贯穿通孔。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极至少部分地围绕所述贯穿通孔。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极包括在所述第一电容器电极中的第一部分和在所述第一部分上的第二部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极的所述第一部分的宽...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电容器电极至少部分地围绕所述贯穿通孔。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极至少部分地围绕所述贯穿通孔。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极包括在所述第一电容器电极中的第一部分和在所述第一部分上的第二部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极的所述第一部分的宽度小于所述第二电容器电极的所述第二部分的宽度。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二电容器电极还包括在所述第二电容器电极的所述第二部分上的第三部分，以及
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外围电路结构包括：
10.一种半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括外围电路结构，其中，所述外围电路结构包括：...
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