【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种电容器及其制造方法。
技术介绍
1、电容器在集成电路中具有广泛应用，可以起到耦合、滤波以及补偿等多种作用。而如何提高电容器的电容量是一个创新方向。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种电容器及其制造方法，以提高电容器中的电容量。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种电容器，所述电容器包括：
3、半导体衬底，所述半导体衬底中形成有至少一个第一沟槽；
4、位于所述半导体衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底表面以及所述第一沟槽表面；
5、位于所述第一介质层上的第一导电层，所述第一导电层填充所述第一沟槽并凸出于所述半导体衬底的表面，所述第一导电层的表面呈凹凸状；
6、位于所述第一导电层上的第二介质层，所述第二介质层保形覆盖所述第一导电层；以及，
7、位于所述第二介质层上的第二导电层。
8、可选的，在所述的电容器中，所述半导体衬底中形成有掺杂区，所述...
【技术保护点】
1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底中形成有掺杂区，所述第一介质层暴露出至少部分所述掺杂区，所述第二介质层暴露出部分所述第一导电层。
3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：与所述掺杂区连接的第一插塞；与所述第一导电层连接的第二插塞；以及，与所述第二导电层连接的第三插塞。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有至少一个第二沟槽，所述第二沟槽中填充第一隔离结构。
5.如权利要求4所述的电容器，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底中形成有掺杂区，所述第一介质层暴露出至少部分所述掺杂区，所述第二介质层暴露出部分所述第一导电层。
3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：与所述掺杂区连接的第一插塞；与所述第一导电层连接的第二插塞；以及，与所述第二导电层连接的第三插塞。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有至少一个第二沟槽，所述第二沟槽中填充第一隔离结构。
5.如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第二沟槽的深度和所述第一沟槽的深度相同。
6.如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有至少一个第三沟槽，所述第三沟槽中填充第二隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁峰，潘冬，刘念，尹祥祥，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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