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本发明提供了一种电容器及其制造方法，半导体衬底中形成有第一沟槽，第一介质层覆盖所述第一沟槽表面，第一导电层形成在所述第一介质层上并且所述第一导电层的表面呈凹凸状，第二介质层保形覆盖所述第一导电层，第二导电层形成在所述第二介质层上，由此，增加...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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