【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制作方法、电容器和存储器。
技术介绍
1、随着半导体芯片的不断发展，其关键尺寸不断减小，半导体芯片中例如动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)包括阵列排布的存储单元，每个存储单元包括一个晶体管和一个电容器。dram的电容器、晶体管如何实现更高的介电常数、更低的漏电流，成为dram芯片研发的关键所在。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制作方法、电容器和存储器。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：
3、依次堆叠的第一本征层和第二本征层，所述第一本征层具有四方晶相，所述第二本征层的材料包括氧化铪；其中，所述第一本征层的厚度和所述第二本征层的厚度之比满足预设范围，以使所述第二本征层至少部分具有四方晶相。
4、上述方案中，所述预设范围为3:1～5:1。
5、上述方案中，所述第一本征层的厚度和所述第二本...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设范围为3:1～5:1。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的厚度和所述第二本征层的厚度之和为1nm～15nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的材料包括氧化锆。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的材料包括氧化铪掺杂的氧化锆，且所述氧化铪掺杂的氧化锆中氧化铪与氧化锆的摩尔比为1:2～1:5。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述预设范围为3:1～5:1。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的厚度和所述第二本征层的厚度之和为1nm～15nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的材料包括氧化锆。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一本征层的材料包括氧化铪掺杂的氧化锆，且所述氧化铪掺杂的氧化锆中氧化铪与氧化锆的摩尔比为1:2～1:5。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二本征层的材料包括具有掺杂元素的氧化铪；所述掺杂元素包括硅、铝中的至少之一。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述第二本征层上的阻挡层；所述阻挡层包括至少一个子阻挡层，每一所述子阻挡层的材料包括氧化铝、氧化锆、氧化铪中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度小于或等于1nm。
9.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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